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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

  • 步進(jìn)式光刻機(jī)

    1、Nikon EX12B步進(jìn)式光刻機(jī)光源波長248nm分辨率優(yōu)于0.3µm主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LE...
    型號: Nikon EX1... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:49:10 對比
  • 步進(jìn)式光刻機(jī)

    1、Nikon SF120/130步進(jìn)式光刻機(jī)光源波長365nm分辨率優(yōu)于0.28µm主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS...
    型號: Nikon SF1... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:46:17 對比
  • 電容耦合等離子體刻蝕(CCP)設(shè)備

    詳細(xì)介紹CCP腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中,等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子,與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物后,隨真空抽氣...
    型號: Haasrode&... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:45:18 對比
  • Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備

    Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備??赏ㄟ^操作面板實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)化操作,適用于研究開發(fā)及少量生產(chǎn)。
    型號: ei系列 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:42:25 對比
  • 涂膠顯影機(jī)

    KS-FT200/300系列堆疊式高產(chǎn)能前道涂膠顯影機(jī),為我司自主研發(fā)的突破晶圓前道28nm工藝節(jié)點(diǎn)及以上工藝制程,適用于ArF、KrF、I-Line、PI、B...
    型號: KS-FT200/... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:41:33 對比
  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案,LED工業(yè)要求高產(chǎn)量,高器件質(zhì)量和低購置成本。 PlasmaPro 1000更好地解決了這些需求。
    型號: PlasmaPro... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:39:11 對比
  • 光譜橢偏儀

    UNECS系列是可以高速、高精度測量薄膜膜厚和折射率的分光橢偏儀。采用的測量方式,實(shí)現(xiàn)了高速測量和機(jī)體的小型化。我們的產(chǎn)品陣容包括便攜式,自動(dòng)式和對應(yīng)真空環(huán)境的...
    型號: UNECS系列 所在地:日本 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:39:06 對比
  • 步進(jìn)式光刻機(jī)

    1、Nikon NSR 2205i14E步進(jìn)式光刻機(jī)光源波長365nm分辨率優(yōu)于0.35µm主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生產(chǎn)線,廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)...
    型號: Nikon NSR... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:37:08 對比
  • 8英寸電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    Shale® C系列電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備(ICP-CVD),通過電感耦合(ICP)產(chǎn)生高密度等離子體,并通過電容耦合(CCP)產(chǎn)生偏壓,可...
    型號: Shale... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:35:04 對比
  • 活性化退火設(shè)備

    PFS系列是SiC工藝等高溫處理工藝中,配合使用的退火設(shè)備。可最大對應(yīng)φ 150mm。
    型號: PFS系列 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:34:17 對比
  • 8英寸等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備

    詳細(xì)介紹Shale® A系列等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD),通過平行電容板電場放電產(chǎn)生等離子體,可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較...
    型號: Shale... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:30:52 對比
  • 深硅刻蝕機(jī)

    深硅刻蝕機(jī)HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)構(gòu)布局,能夠減小占地,提升產(chǎn)能。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區(qū)部件、電源柜等組成。可實(shí)...
    型號: HSE系列 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:25:22 對比
  • 真空計(jì)

    皮拉尼真空計(jì),可以測量從大氣壓到5×10-2Pa的廣泛的壓力范圍該真空計(jì)從傳統(tǒng)的控制器(傳感器單元)中除去操作·顯示部,最大限度凝縮精簡功能...
    型號: SW系列 所在地:日本 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:24:10 對比
  • 氣相分解金屬沾污收集(VPD)設(shè)備

    詳細(xì)介紹Seehund® A型氣相分解金屬沾污收集設(shè)備(VPD)是專為集成電路制造、大晶圓生產(chǎn)及再生、先導(dǎo)工藝研發(fā)等行業(yè)提供金屬沾污控制方案的產(chǎn)品。由...
    型號: Seehund&#... 所在地:徐州市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:19:49 對比
  • 真空泵

    VS系列是旋片式(單級)的油旋轉(zhuǎn)真空泵??纱钆淞_茨泵獲得更大的排氣量。內(nèi)置油霧過濾器和回油裝置,排氣性能長期穩(wěn)定。此外,設(shè)計(jì)上還考慮到了油和濾芯更換等維保的便宜...
    型號: VS系列 所在地:日本 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:10:10 對比
  • 半自動(dòng)CMP拋光機(jī)

    CMP拋光機(jī)是一款針對薄膜(介質(zhì)層)的拋光設(shè)備,操作便捷,兼容性強(qiáng),通過更換拋光壓頭實(shí)現(xiàn)不同尺寸晶圓的兼容,采用手動(dòng)裝片方式,可配置半自動(dòng)loading系統(tǒng),氣...
    型號: TMP-200S/... 所在地:深圳市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:08:39 對比
  • 真空蒸餾設(shè)備

    真空蒸餾設(shè)備CEH系列該設(shè)備的用途是真空蒸餾處理??稍谡婵障碌蜏囟虝r(shí)間蒸餾熱感受性高的物質(zhì)(熱分解·重重合的物質(zhì))。具有非常優(yōu)異的分離效率。
    型號: CEH系列 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:06:41 對比
  • 12英寸槽式清洗設(shè)備

    12英寸槽式清洗設(shè)備Pinnacle300平臺(tái)適用于集成電路、功率半導(dǎo)體、襯底材料、硅基微顯示領(lǐng)域的清洗工藝。該機(jī)臺(tái)主要由傳輸模塊、工藝模塊、藥液供給系統(tǒng)、電源...
    型號: Pinnacle3... 所在地:北京市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:03:36 對比
  • 6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)

    GAMA系列6/8英寸全自動(dòng)槽式清洗機(jī)滿足全部濕法工藝需求,覆蓋RCA、PR Strip、Solvent、Wet Etch等應(yīng)用,可用于典型0.35um、0.1...
    型號: GAMA Seri... 所在地:北京市 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:01:01 對比
  • 等離子增強(qiáng)原子層沉積PEALD

    我們的 Fiji® 系列是一種模塊化、高真空熱原子層沉積系統(tǒng),采用靈活的架構(gòu)和多種前驅(qū)體和等離子體氣體配置,可適應(yīng)各種沉積模式。Fiji G2 是下一...
    型號: Fiji 所在地:國外 參考價(jià): 面議 更新時(shí)間:2024/9/4 15:00:25 對比

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