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研啟科學(xué)儀器(東莞)有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第1年

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  • Plasma Process Cluster 多腔等離子體工藝系統(tǒng)

    l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:56:24 對(duì)比
  • Plasma Etching Cluster 多腔等離子體刻蝕系統(tǒng)

    l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無(wú)需反應(yīng)腔...

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:55:16 對(duì)比
  • TFS 200原子層沉積ALD

    一、簡(jiǎn)介:TFS200是一款適用于科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的最靈活的ALD平臺(tái),是為多用戶研究環(huán)境中將可能發(fā)生的交叉污染降至而特別設(shè)計(jì)的

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:53:43 對(duì)比
  • 烤膠機(jī)

    一、產(chǎn)品介紹CIF烤膠機(jī)采用智能程序化控溫技術(shù),控溫精準(zhǔn)均勻,加熱快速高效,維修簡(jiǎn)單方便,控溫范圍在室溫-360℃之間,控溫精度達(dá)到0.1℃

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:52:44 對(duì)比
  • 深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH

    v應(yīng)用方向:提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的MEMS

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:52:21 對(duì)比
  • 離子束刻蝕系統(tǒng)IBE

    v離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:51:06 對(duì)比
  • 反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE

    v可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝v兼容200mm以下所有尺寸的晶圓

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:50:32 對(duì)比
  • RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

    一、產(chǎn)品介紹:CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:49:43 對(duì)比
  • 晶圓甩干機(jī)

    v晶圓甩干機(jī)系高潔凈度的沖洗旋干設(shè)備

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:48:53 對(duì)比
  • 供藥系統(tǒng)

    v供藥系統(tǒng)用于廠內(nèi)供藥,通過(guò)該系統(tǒng)可以按照設(shè)定的配比,將特定的藥液通過(guò)相應(yīng)的管路供應(yīng)到制程中

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:48:24 對(duì)比
  • 充氮型程控烤膠機(jī)

    v控溫范圍:室溫-300℃v溫度分辨率:0.1℃v控溫精度:±0.2℃v溫度均勻性:<±1%v可存貯100組烤膠配方

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:47:31 對(duì)比
  • 實(shí)驗(yàn)型顯影機(jī)

    v全封閉式桌面顯影機(jī)

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:47:02 對(duì)比
  • 刻蝕機(jī)終端檢測(cè)系統(tǒng)

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:45:48 對(duì)比
  • 低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD

    v滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求v直徑200毫米的石英室v內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗v基片尺寸可達(dá)直徑150毫米v三區(qū)電阻爐

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:42:09 對(duì)比
  • 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

    v應(yīng)用方向:高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:41:08 對(duì)比
  • 化學(xué)氣相沉積MOCVD

    vMOCVD設(shè)備是通過(guò)將反應(yīng)物質(zhì)以有機(jī)金屬化合物氣體分子的形式

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:40:09 對(duì)比
  • 快速退火爐RTP

    v主要功能:快速熱退火,快速熱氧化,快速熱氮化,擴(kuò)散,化合物半導(dǎo)體退火,離子注入后退火,電極合金化等v樣片尺寸:8inch,向下兼容,支持不規(guī)整樣品退火v退火溫...

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:38:47 對(duì)比
  • 探針臺(tái)

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:37:57 對(duì)比
  • 無(wú)掩膜/激光直寫(xiě)光刻機(jī)

    v光源:375nm、385nm、405nm激光器v線寬:0

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:36:29 對(duì)比
  • 勻膠機(jī)

    一、產(chǎn)品介紹CIF勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速穩(wěn)定、啟動(dòng)迅速,旋涂均勻,操作簡(jiǎn)單,結(jié)構(gòu)緊湊實(shí)用,為實(shí)驗(yàn)室提供了理想的解決方案

    型號(hào): 所在地:深圳市參考價(jià): 面議更新時(shí)間:2024/10/22 15:34:31 對(duì)比

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