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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

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更新時(shí)間:2024-10-22 15:41:08瀏覽次數(shù):42次

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v應(yīng)用方向:高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

v 應(yīng)用方向:高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途;用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

v 電阻絲加熱電極,溫度可達(dá)400°C1200°C

v 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝, 并且可自動(dòng)停止工藝

v 晶圓可達(dá)200mm,可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

v 高導(dǎo)通的徑向(軸對(duì)稱)抽氣結(jié)構(gòu):確保提升了工藝均勻性和速率

v 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能:可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

v 通過(guò)前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷,故障診斷速度快

v 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè):在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來(lái)確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

v 用發(fā)射光譜(OES)實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè):監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)


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