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外延片電阻率方阻測試儀

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所  在  地蘇州市

更新時間:2024-11-18 16:32:18瀏覽次數(shù):341次

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外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。最后基本形成縱向NPN管結(jié)構(gòu):外延層在其中是集電區(qū),外延上面有基區(qū)和發(fā)射區(qū)。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產(chǎn),所以他們買別人做好外延工藝的外延片來接著做后續(xù)工藝。

外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。最后基本形成縱向NPN管結(jié)構(gòu):外延層在其中是集電區(qū),外延上面有基區(qū)和發(fā)射區(qū)。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產(chǎn),所以他們買別人做好外延工藝的外延片來接著做后續(xù)工藝。

半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片,它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用,在IC中用量不大,它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2~20μm,而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片)和725μm (200mm片)。
外延沉積既可(同時)一次加工多片,也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200 mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。

 

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