哈默納科諧波減速機(jī)應(yīng)用半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。

物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱(chēng)為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱(chēng)為導(dǎo)體?？梢院?jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱(chēng)為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶（見(jiàn)能帶理論），受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴。空穴導(dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是一種等效。電子導(dǎo)電時(shí)等電量的空穴會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng)  。它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱(chēng)為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱(chēng)為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱(chēng)為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子- 空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子- 空穴對(duì)，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。

哈默納科諧波減速機(jī)1833年，英國(guó)巴拉迪最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)。

1839年法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)，在光照下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓，這就是后來(lái)人們熟知的光生伏應(yīng)，這是被發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體的第二個(gè)特征。

1873年，英國(guó)的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導(dǎo)增加的光電導(dǎo)效應(yīng)，這是半導(dǎo)體又一個(gè)*的性質(zhì)。半導(dǎo)體的這四個(gè)效應(yīng)，(jianxia霍爾效應(yīng)的余績(jī)──四個(gè)伴生效應(yīng)的發(fā)現(xiàn))雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了，但半導(dǎo)體這個(gè)名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯使用。而總結(jié)出半導(dǎo)體的這四個(gè)特性一直到1947年12月才由貝爾實(shí)驗(yàn)室完成。

1874年，德國(guó)的布勞恩觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，在它兩端加一個(gè)正向電壓，它是導(dǎo)通的；如果把電壓極性反過(guò)來(lái)，它就不導(dǎo)電，這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)，也是半導(dǎo)體所*的第三種特性。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。

實(shí)驗(yàn)室內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行切割2015年中國(guó)在公布的“中國(guó)制造2025”戰(zhàn)略中提出培育半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。為此，中國(guó)地方政府競(jìng)相利用優(yōu)惠政策吸引國(guó)內(nèi)外的半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)。

2018年4月11日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)成員劉春森在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)對(duì)硅片進(jìn)行切割。張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開(kāi)創(chuàng)了第三類(lèi)存儲(chǔ)技術(shù)。中國(guó)大型半導(dǎo)體企業(yè)紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在湖北省武漢市推進(jìn)的三維NAND的量產(chǎn)項(xiàng)目，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試的稱(chēng)“估計(jì)將在2018年底到2019年迅速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)”。

2018年4月24日，《日本經(jīng)濟(jì)新聞》預(yù)計(jì)最早在2018年底開(kāi)始向市場(chǎng)供應(yīng)產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片。曾在液晶面板等眾多產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)的產(chǎn)品供給過(guò)剩也可能在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)價(jià)格下跌。