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當前位置:北京亞科晨旭科技有限公司>>薄膜制備>>薄膜沉積CVD>> ICP-500D薄膜沉積CVD

薄膜沉積CVD

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號ICP-500D

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-10-12 15:04:52瀏覽次數(shù):102次

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SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜??稍跇O低溫度下(< 100ºC)沉積高質量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應力的連續(xù)調節(jié)。

SENTECH ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D

 

是主流的半導體設備商,研發(fā)、制造和銷售良好的薄膜測量儀器(反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀)和等離子工藝設備(等離子刻蝕機、等離子沉積系統(tǒng)、用戶定制系統(tǒng))。

SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜??稍跇O低溫度下(< 100ºC)沉積高質量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實現(xiàn)沉積薄膜厚度、折射率、應力的連續(xù)調節(jié)。

 

 

SI 500 D主要特點:

  • 適用于8寸以及以下晶片

  • 低溫沉積高質量電介質膜:80°C~350°C

  • 高速率沉積

  • 低損傷

  • 薄膜特性 (厚度、折射率、應力) 連續(xù)可調

  • 平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

  • SENTECH高級等離子設備操作軟件

  • 穿墻式安裝方式

 

系統(tǒng)配置:

 

 

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