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薄膜沉積CVD
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...

型號(hào)： ICP-500D 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/10/12 15:04:52 對(duì)比

SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積
原子層沉積系統(tǒng)
PICOSUN 原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Pro；PICOSUN R-200 Advanced ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS...

型號(hào)： PICOSUN A... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/25 13:45:45 對(duì)比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)-高級(jí)版
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200高級(jí)版；系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件...

型號(hào)： ALD R-200... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/25 13:43:50 對(duì)比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版
PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，...

型號(hào)： ALD R-200 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/25 13:41:31 對(duì)比

PICOSUN原子層沉積ALDPICOSUN-ALD原子層
等離子中束流離子注入機(jī)
離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子...

型號(hào)： IMC210 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/25 12:51:44 對(duì)比

IBS中束流離子注入高溫離子注入機(jī)中束離子
ICP等離子沉積系統(tǒng)-SI 500D
SI 500D等離子沉積系統(tǒng)是ICP-PECVD設(shè)備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質(zhì)薄膜?？稍跇O低溫度下（ 100ºC）沉積高質(zhì)量SiO2, S...

型號(hào)： ICP-500D 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/25 12:16:56 對(duì)比

SENPECVD沉積系統(tǒng)SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積

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