1. 產(chǎn)品概述
滿足半導體制造中濕法刻蝕工藝,單片加工,適用于SiO2,SiN,Polysilicon和各種金屬層的刻蝕,清洗等工藝流程。
2. 產(chǎn)品優(yōu)勢
利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液,可以有效的提高刻蝕均勻性
分層式反應腔體設計,可以在同一腔體中噴灑多種化學液,并能有效回收,節(jié)約化學液
疊層控制,占地面積小,多可配置4個刻蝕單元
3. 應用域:
半導體制造中濕法刻蝕工藝
封裝域中金屬層刻蝕,滿足UBM及RDL工藝要求
OLED 域中金屬及金屬氧化物(ITO/IGZO)刻蝕、緩沖層成膜的表面(SiO2)刻蝕清洗等工藝
滿足半導體制造中濕法刻蝕工藝,單片加工,適用于SiO2,SiN,Polysilicon和各種金屬層的刻蝕,清洗等工藝流程。