Beneq TFS 200 是有史以來最靈活的原子層沉積研究平臺，專為學術(shù)研究和企業(yè)研發(fā)而設計。Beneq TFS 200 經(jīng)過專門設計，可最大限度地減少多用戶研究環(huán)境中可能發(fā)生的任何交叉污染。大量的可用選項和升級意味著您的 Beneq TFS 200 將與您一起擴展，以滿足的研究要求。
Beneq TFS 200 代表了能夠在晶圓、平面物體、多孔散裝材料和縱橫比 （HAR） 特性的復雜 3D 物體上沉積優(yōu)質(zhì)涂層的技術(shù)解決方案。
直接和遠程等離子體增強沉積 （PEALD） 是 Beneq TFS 200 的標準選件。等離子體是電容耦合 （CCP），這是當今的行業(yè)標準。CCP 等離子選件為高達 200 毫米的基板提供直接和遠程等離子體增強 ALD （PEALD），正面朝上或面朝下。
處理周期時間通常小于 2 秒。在特定情況下甚至不到 1 秒
高縱橫比 （HAR） 可用于具有通孔和多孔基板的結(jié)構(gòu)
用于快速加熱和冷卻的冷壁真空室
真空室中的輔助入口可實現(xiàn)等離子體、原位診斷等。
負載鎖定可用于快速更換基板并與其他設備集成。
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