原子層刻蝕通常包括4個(gè)步驟的周期，根據(jù)需要可重復(fù)多次，以達(dá)到所需的刻蝕深度。以下是使用 Cl2/Ar進(jìn)行AlGaN刻蝕的ALE示例：

步驟 1) 對(duì)基底進(jìn)行刻蝕氣體的投放，刻蝕氣體吸附在刻蝕材料上并與之發(fā)生反應(yīng)。通常，刻蝕氣體經(jīng)等離子體解離以增強(qiáng)吸附速率。通過(guò)正確選擇投放氣體和參數(shù)，這個(gè)步驟可以實(shí)現(xiàn)自限制，即在吸附一層分子后化學(xué)投放停止。

步驟 2) 清除所有剩余的投放氣體

步驟 3) 用低能惰性離子轟擊表面，去除已發(fā)生反應(yīng)的表面層。如果離子的能量足以去除化學(xué)修飾層，但不足以（濺射）刻蝕下層塊狀材料，這可能是自限制。

步驟 4)清除腔室內(nèi)的刻蝕產(chǎn)物。

原子層刻蝕的優(yōu)勢(shì)

• 采用低離子能量，刻蝕損傷小

• 精確控制刻蝕深度

• 超薄層去除

• 自限制行為

• 選擇性高，因?yàn)榭蓪?duì)劑量氣體和離子能量進(jìn)行定制，以盡量減少對(duì)掩膜層或底層材料的刻蝕

• 刻蝕速率受刻蝕特征長(zhǎng)寬比的影響較?。礈p少ARDE），因?yàn)樽杂苫墓?yīng)和表面離子轟擊已分成獨(dú)立的步驟

• 由于具有自限性，均勻性得到改善

• 刻蝕表面光滑

• 由于依賴離子轟擊，因此具有各向異性