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深圳市矢量科學儀器有限公司

當前位置:深圳市矢量科學儀器有限公司>>半導體前道工藝設備>>5 刻蝕設備>> RIE-800iPB電感耦合等離子體刻蝕設備

電感耦合等離子體刻蝕設備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號RIE-800iPB

品牌SAMCO

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地國外

更新時間:2024-09-06 13:57:32瀏覽次數(shù):191次

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Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設備,使用高密度等離子體進行 MEMS 和 TSV 應用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設計的用硅蝕刻系統(tǒng)(由Robert Bosch GmbH授權)。該系統(tǒng)的反應室、電、平臺和真空設計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題,可實現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻,具有行業(yè)先的

1. 產(chǎn)品概述

Samco 的 RIE-800iPB 是一種高性能的電感耦合等離子體 (ICP) 蝕刻系統(tǒng),使用高密度等離子體進行 MEMS 和 TSV 應用所需的深度硅蝕刻。

RIE-800iPB是為Bosch工藝設計的用硅蝕刻系統(tǒng)(由Robert Bosch GmbH授權)。該系統(tǒng)的反應室、電、平臺和真空設計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題,可實現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻,具有行業(yè)先的選擇性(超過100:1)。

2. 設備用途/原理

MEMS(加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等)。通過硅通道(TSV)、噴墨打印機頭的加工功率器件(超結MOSFET)、等離子切割/劃線。

3. 設備特點

MEMS量產(chǎn)中的高速蝕刻量產(chǎn)中的高寬比蝕刻扇貝的控制/無扇貝的非波西法流程,傾斜控制,均勻性好,用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。


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