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九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
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渦流法方阻測試儀

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蘇州市

更新時間:2024-11-18 16:00:41瀏覽次數(shù):115次

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??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等)厚度的一個參數(shù),其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。?12
特性
方阻的特性是,無論正方形的邊長如何,其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著,不管正方形的邊長是1米還是1毫米,其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān),與樣品的尺寸無關(guān)。

‌‌方阻是指一個正方形‌薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻‌,也稱為方塊電阻或‌膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如‌蒸發(fā)鋁膜、‌導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等)厚度的一個參數(shù),其大小與材料的電阻率和厚度有關(guān)。‌

特性

方阻的特性是,無論正方形的邊長如何,其邊到邊的電阻值都是相同的。這意味著,不管正方形的邊長是1米還是1毫米,其方阻值都是一樣的。方阻僅與導(dǎo)電膜的厚度和電阻率有關(guān),與樣品的尺寸無關(guān)。

渦流法方阻測試儀描述

設(shè)備主要利用渦電流測試原理,非接觸測試半導(dǎo)體材料,石墨烯,透明導(dǎo)電膜,碳納米管,金屬等材料的方阻(電阻率)。

可實現(xiàn)單點(diǎn)測試,亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能,可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。

特點(diǎn)

本儀器為非接觸,非損傷測試,具有測試速度快,重復(fù)性佳,測試敏感性高,可以直接測試產(chǎn)品片。

技術(shù)參數(shù)

參數(shù) 探頭

方阻范圍

電阻率范圍

測試方法

量程

低阻探頭

0.005-1 Ω/sq

0.25-50 ·cm

渦流法,

非接觸式

中阻探頭

0.05-10 Ω/sq

2.5-500 ·cm

高阻探頭

10-3000 Ω/sq

0.5-150 Ω·cm

錠探頭

0.01-2 Ω·cm

重復(fù)性

< 0.2% ( ≤ 50%量程范圍)

< 0.5% ( > 50%量程范圍)

準(zhǔn)確度

<   ±3%   ( ≤ 50%量程范圍)

<   ±3% ( > 50%量程范圍)

探頭信息

探頭類型:雙探頭(上下探頭,間距2 - 3mm)

探頭直徑:外徑20mm,內(nèi)徑14mm(有效測試部分)

坐標(biāo)設(shè)置

任意坐標(biāo)設(shè)置

存儲數(shù)據(jù)

數(shù)據(jù)庫內(nèi)部存儲(可導(dǎo)出表格文件)

PDF測試報告,含測試信息(時間、操作員)、wafer信息(編號、尺寸、厚度),數(shù)據(jù)信息(測試點(diǎn)數(shù),**值,最小值,平均值,相對標(biāo)準(zhǔn)偏差等),等高線圖,曲面圖等。

CSV表格數(shù)據(jù)可存儲至遠(yuǎn)端服務(wù)器,可根據(jù)客戶需求修改相關(guān)報告信息

WAFER信息

尺寸:2”- 8”(英寸)

厚度:100 - 1500 μm

系統(tǒng)要求

供電:AC220V,50/60Hz      功率:600W                        環(huán)境:溫度24℃±10℃

相對濕度:20%-80%RH      尺寸:975*465*425(mm)    壽命:> 10年

渦流法原理

當(dāng)載有交變電流的檢測線圈靠近被測導(dǎo)體,由于線圈上交變磁場的作用,被測導(dǎo)體感應(yīng)出渦流并產(chǎn)生與原磁場方向相反的磁場,

部分抵消原磁場,導(dǎo)致檢測線圈電阻和電感變化。

 

 

                                         
電阻率
 = 方阻 × Wafer厚度

方阻 和 V 具有關(guān)系

電阻率是用來表示物質(zhì)電阻特性的物理量,是材料本身的電學(xué)性質(zhì)。


適用材料

材料

電阻率

方阻

Silicon wafer

Y

Y

SiC wafer / Ingot

Y

Y

GaO wafer / Ingot

Y

Y

GaN wafer 2DEGI

Y

Y

GaAs 2EDG


Y

IGZO/LTPS/ITO


Y

TCO(Touch panel)


Y

Graphene


Y

Metal film


Y


穩(wěn)定性

 

 

相對標(biāo)準(zhǔn)偏差=0.0150%@中點(diǎn)15次重復(fù)性


方阻Mapping55點(diǎn)測試報告

報告時間

2023/10/26 13:51

測試樣本數(shù)

55

分析時間

2023/10/26 13:47

**電阻率

0.0232

操作員ID

admin

最小電阻率

0.02277

批次ID

0

平均電阻率

0.02293

樣片ID

A-1-55

標(biāo)準(zhǔn)偏差

0.000111

尺寸規(guī)格

100mm

相對標(biāo)準(zhǔn)偏差

0.4861%



 

 

 


動態(tài)重復(fù)性逐點(diǎn)(38點(diǎn)坐標(biāo))一致性數(shù)據(jù)如下(樣品面的測量5次)


重復(fù)性

Max

1

0.12459

0.12466

0.12467

0.12471

0.12472

0.0413%

0.0703%

2

0.12347

0.12351

0.12356

0.12358

0.12362

0.0477%


3

0.12315

0.12321

0.12323

0.12326

0.12329

0.0431%


4

0.12389

0.12398

0.124

0.12402

0.12405

0.0489%


5

0.12421

0.12424

0.12428

0.12438

0.12441

0.0703%


6

0.12396

0.12403

0.12406

0.12408

0.12412

0.0484%


7

0.12387

0.12389

0.12398

0.124

0.12403

0.0566%


8

0.12482

0.12486

0.1249

0.12493

0.12496

0.0444%


9

0.12431

0.12434

0.1244

0.12447

0.12451

0.0679%


10

0.12429

0.12435

0.12438

0.12442

0.12445

0.0500%


11

0.12372

0.12378

0.1238

0.12383

0.12386

0.0429%


12

0.12381

0.12389

0.12392

0.12393

0.12396

0.0462%


13

0.1237

0.12374

0.1238

0.12381

0.12385

0.0481%


14

0.12386

0.12394

0.12396

0.12399

0.12403

0.0512%


15

0.12394

0.124

0.12404

0.12407

0.12409

0.0482%


16

0.12496

0.125

0.12504

0.12507

0.12509

0.0421%


17

0.1245

0.12454

0.12452

0.12464

0.12465

0.0562%


18

0.12414

0.12418

0.12422

0.12425

0.12427

0.0424%


19

0.12392

0.12396

0.124

0.12404

0.12406

0.0462%


20

0.12487

0.12491

0.12496

0.12501

0.12501

0.0495%


21

0.12355

0.1236

0.12363

0.12367

0.12372

0.0526%


22

0.12402

0.12409

0.12412

0.12415

0.12417

0.0473%


23

0.12442

0.12444

0.12453

0.12456

0.12458

0.0578%


24

0.12419

0.12423

0.12428

0.12431

0.12434

0.0486%


25

0.12388

0.12395

0.12396

0.12398

0.12403

0.0438%


26

0.12501

0.12505

0.12509

0.12512

0.12516

0.0468%


27

0.1244

0.12444

0.12453

0.12453

0.12458

0.0592%


28

0.12441

0.12445

0.12452

0.12453

0.12457

0.0519%


29

0.12385

0.12389

0.12393

0.12396

0.124

0.0473%


30

0.12379

0.12383

0.12385

0.12387

0.12392

0.0389%


31

0.12367

0.1237

0.12372

0.12374

0.12381

0.0425%


32

0.12393

0.12397

0.12402

0.12403

0.12409

0.0492%


33

0.12394

0.12396

0.124

0.12405

0.12409

0.0502%


34

0.12506

0.12509

0.12514

0.12519

0.12521

0.0510%


35

0.12449

0.12452

0.12459

0.12465

0.12466

0.0610%


36

0.12423

0.12423

0.12431

0.12434

0.12436

0.0491%


37

0.12382

0.12386

0.12386

0.12392

0.12395

0.0421%


38

0.12494

0.12497

0.12502

0.12508

0.12508

0.0507%



不同阻值穩(wěn)定性測試如下(1000個數(shù)據(jù)分統(tǒng)計)


真實值

靜態(tài)

動態(tài)

穩(wěn)定性

0.1013

0.05%

0.05%

0.1596

0.04%

0.04%

0.2884

0.05%

0.06%

0.5657

0.07%

0.05%

0.9746

0.07%

0.08%

1.5941

0.11%

0.09%

3.1808

0.16%

0.27%

16.662

0.48%

0.96%

56.4

0.03%

0.05%

180.6

0.10%

0.10%

264.4

0.10%

0.16%

573.7

0.28%

0.36%

750.9

0.34%

0.43%


非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀,方阻測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀,遷移率(霍爾)測試儀,少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀,表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、金屬薄膜、玻璃、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。
憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場口碑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、金屬薄膜測試、玻璃測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。

 

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