【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶確認(rèn)所需采購(gòu)產(chǎn)品型號(hào)

流程二：2、我方會(huì)根據(jù)詢價(jià)單型號(hào)查詢價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號(hào)無(wú)誤后訂購(gòu)產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶提供型號(hào)以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂(lè) 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶滿意”的核心理念。施耐德交流接觸器

施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動(dòng)滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動(dòng)、靜觸頭在分、合過(guò)程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合，實(shí)現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟?。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動(dòng)作狀態(tài))。當(dāng)吸引線圈通電后，使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力，銜鐵被吸合，與銜鐵相連的連桿帶動(dòng)觸頭動(dòng)作，使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線圈斷電時(shí)，電磁吸力消失，銜鐵在復(fù)開，使常開觸頭閉合，位彈簧作用下釋放，所有觸頭隨之復(fù)位，接觸器處于失電狀態(tài)。

永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理，用永磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。國(guó)內(nèi)成熟的產(chǎn)品型號(hào)：CJ20J、NSFC1、NSFC2、NSFC3、NSFC4、NSFC5、NSFC12、NSFC19、CJ40J、NSFMR。

安裝在接觸器聯(lián)動(dòng)機(jī)構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵，與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用，從而達(dá)到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過(guò)與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流，而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)需要，用控制電子模塊來(lái)控制設(shè)定的釋放電壓值，也可延遲一段時(shí)間再發(fā)出反向脈沖電流，以達(dá)到低電壓延時(shí)釋放或斷電延時(shí)釋放的目的，使其控制的電機(jī)免受電網(wǎng)晃電而跳停，從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。

施耐德接觸器如下：

LC1E120Q5N

LC1E160Q5N

LC1E200Q5N

LC1E250Q5N

LC1E300Q5N

LC1E400Q5N

LC1E500Q5N

LC1E630Q5N

LC1N0901Q5N

LC1N1201Q5N

LC1N1801Q5N

LC1N2501Q5N

LC1N3201Q5N

LC1N3801Q5N

LC1N0910Q5N

LC1N1210Q5N

雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)；外部引出三個(gè)極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過(guò)基區(qū)傳輸?shù)竭_(dá)集電區(qū)而實(shí)現(xiàn)的，為了保證這一傳輸過(guò)程，一方面要滿足內(nèi)部條件，即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很小，另一方面要滿足外部條件，即發(fā)射結(jié)要正向偏置（加正向電壓）、集電結(jié)要反偏置；BJT種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半導(dǎo)體材料分，有硅管和鍺管等；其構(gòu)成的放大電路形式有：共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor）利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管。英文簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中多數(shù)載流子的密度或類型。它是由電壓調(diào)制溝道中的電流，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運(yùn)。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極型晶體管。與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、極限頻率高、功耗小，制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大電路、數(shù)字電路和微波電路等。以硅材料為基礎(chǔ)的金屬?氧化物?半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎(chǔ)的肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET ）是兩種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別為MOS大規(guī)模集成電路和MES超高速集成電路的基礎(chǔ)器件。