【接近開(kāi)關(guān)、光電開(kāi)關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶確認(rèn)所需采購(gòu)產(chǎn)品型號(hào)

流程二：2、我方會(huì)根據(jù)詢價(jià)單型號(hào)查詢價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號(hào)無(wú)誤后訂購(gòu)產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶提供型號(hào)以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開(kāi)戶行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂(lè) 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開(kāi)關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶滿意”的核心理念。施耐德交流接觸器

施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動(dòng)滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動(dòng)、靜觸頭在分、合過(guò)程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合，實(shí)現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟摹＝涣鹘佑|器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動(dòng)作狀態(tài))。當(dāng)吸引線圈通電后，使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力，銜鐵被吸合，與銜鐵相連的連桿帶動(dòng)觸頭動(dòng)作，使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線圈斷電時(shí)，電磁吸力消失，銜鐵在復(fù)開(kāi)，使常開(kāi)觸頭閉合，位彈簧作用下釋放，所有觸頭隨之復(fù)位，接觸器處于失電狀態(tài)。

永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理，用永磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。國(guó)內(nèi)成熟的產(chǎn)品型號(hào)：CJ20J、NSFC1、NSFC2、NSFC3、NSFC4、NSFC5、NSFC12、NSFC19、CJ40J、NSFMR。

安裝在接觸器聯(lián)動(dòng)機(jī)構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵，與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用，從而達(dá)到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過(guò)與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流，而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)需要，用控制電子模塊來(lái)控制設(shè)定的釋放電壓值，也可延遲一段時(shí)間再發(fā)出反向脈沖電流，以達(dá)到低電壓延時(shí)釋放或斷電延時(shí)釋放的目的，使其控制的電機(jī)免受電網(wǎng)晃電而跳停，從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。

施耐德接觸器如下：

LC1E120Q5N

LC1E160Q5N

LC1E200Q5N

LC1E250Q5N

LC1E300Q5N

LC1E400Q5N

LC1E500Q5N

LC1E630Q5N

LC1N0901Q5N

LC1N1201Q5N

LC1N1801Q5N

LC1N2501Q5N

LC1N3201Q5N

LC1N3801Q5N

LC1N0910Q5N

LC1N1210Q5N

雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu)；外部引出三個(gè)極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過(guò)基區(qū)傳輸?shù)竭_(dá)集電區(qū)而實(shí)現(xiàn)的，為了保證這一傳輸過(guò)程，一方面要滿足內(nèi)部條件，即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很小，另一方面要滿足外部條件，即發(fā)射結(jié)要正向偏置（加正向電壓）、集電結(jié)要反偏置；BJT種類很多，按照頻率分，有高頻管，低頻管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半導(dǎo)體材料分，有硅管和鍺管等；其構(gòu)成的放大電路形式有：共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field effect transistor）利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管。英文簡(jiǎn)稱FET。場(chǎng)效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場(chǎng)的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中多數(shù)載流子的密度或類型。它是由電壓調(diào)制溝道中的電流，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運(yùn)。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極型晶體管。與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、極限頻率高、功耗小，制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大電路、數(shù)字電路和微波電路等。以硅材料為基礎(chǔ)的金屬?氧化物?半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎(chǔ)的肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET ）是兩種重要的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分別為MOS大規(guī)模集成電路和MES超高速集成電路的基礎(chǔ)器件。