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施耐德交流接觸器

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產(chǎn)品型號LC1N65F5N

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地溫州市

更新時間:2023-10-17 07:08:36瀏覽次數(shù):333次

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施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機(jī)構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

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藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有:ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗,歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅持“用戶至上, 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨,追求用戶滿意”的核心理念。施耐德交流接觸器

 

施耐德交流接觸器常采用雙斷口電動滅弧、縱縫滅弧和柵片滅弧三種滅弧方法。用以消除動、靜觸頭在分、合過程中產(chǎn)生的電弧。容量在10A 以上的接觸器都有滅弧裝置。交流接觸器還有反作用彈簧、緩沖彈簧、觸頭壓力彈簧、傳動機(jī)構(gòu)、底座及接線柱等輔助部件。

交流接觸器的工作原理是利用電磁力與彈簧彈力相配合,實現(xiàn)觸頭的接通和分?jǐn)嗟?。交流接觸器有兩種工作狀態(tài): 失電狀態(tài)(釋放狀態(tài)) 和得電狀態(tài)(動作狀態(tài))。當(dāng)吸引線圈通電后,使靜鐵芯產(chǎn)生電磁吸力,銜鐵被吸合,與銜鐵相連的連桿帶動觸頭動作,使常閉觸頭斷接觸器處于得電狀態(tài);當(dāng)吸引線圈斷電時,電磁吸力消失,銜鐵在復(fù)開,使常開觸頭閉合,位彈簧作用下釋放,所有觸頭隨之復(fù)位,接觸器處于失電狀態(tài)。

永磁交流接觸器是利用磁極的同性相斥、異性相吸的原理,用永磁驅(qū)動機(jī)構(gòu)取代傳統(tǒng)的電磁鐵驅(qū)動機(jī)構(gòu)而形成的一種微功耗接觸器。國內(nèi)成熟的產(chǎn)品型號:CJ20J、NSFC1、NSFC2、NSFC3、NSFC4、NSFC5、NSFC12、NSFC19、CJ40J、NSFMR。

安裝在接觸器聯(lián)動機(jī)構(gòu)上極性固定不變的永磁鐵,與固化在接觸器底座上的可變極性軟磁鐵相互作用,從而達(dá)到吸合、保持與釋放的目的。軟磁鐵的可變極性是通過與其固化在一起的電子模塊產(chǎn)生十幾到二十幾毫秒的正反向脈沖電流,而使其產(chǎn)生不同的極性。根據(jù)現(xiàn)場需要,用控制電子模塊來控制設(shè)定的釋放電壓值,也可延遲一段時間再發(fā)出反向脈沖電流,以達(dá)到低電壓延時釋放或斷電延時釋放的目的,使其控制的電機(jī)免受電網(wǎng)晃電而跳停,從而保持生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定。

施耐德接觸器如下:

LC1E120Q5N

LC1E160Q5N

LC1E200Q5N

LC1E250Q5N

LC1E300Q5N

LC1E400Q5N

LC1E500Q5N

LC1E630Q5N

LC1N0901Q5N

LC1N1201Q5N

LC1N1801Q5N

LC1N2501Q5N

LC1N3201Q5N

LC1N3801Q5N

LC1N0910Q5N

LC1N1210Q5N

雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor—BJT)又稱為半導(dǎo)體三極管,它是通過一定的工藝將兩個PN結(jié)結(jié)合在一起的器件,有PNP和NPN兩種組合結(jié)構(gòu);外部引出三個極:集電極,發(fā)射極和基極,集電極從集電區(qū)引出,發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出,基極從基區(qū)引出(基區(qū)在中間);BJT有放大作用,重要依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸?shù)竭_(dá)集電區(qū)而實現(xiàn)的,為了保證這一傳輸過程,一方面要滿足內(nèi)部條件,即要求發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,同時基區(qū)厚度要很小,另一方面要滿足外部條件,即發(fā)射結(jié)要正向偏置(加正向電壓)、集電結(jié)要反偏置;BJT種類很多,按照頻率分,有高頻管,低頻管,按照功率分,有小、中、大功率管,按照半導(dǎo)體材料分,有硅管和鍺管等;其構(gòu)成的放大電路形式有:共發(fā)射極、共基極和共集電極放大電路。

場效應(yīng)晶體管(field effect transistor)利用場效應(yīng)原理工作的晶體管。英文簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小,以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層(溝道)中多數(shù)載流子的密度或類型。它是由電壓調(diào)制溝道中的電流,其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極型晶體管。與雙極型晶體管相比,場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲小、極限頻率高、功耗小,制造工藝簡單、溫度特性好等特點,廣泛應(yīng)用于各種放大電路、數(shù)字電路和微波電路等。以硅材料為基礎(chǔ)的金屬?氧化物?半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)和以砷化鎵材料為基礎(chǔ)的肖特基勢壘柵場效應(yīng)管(MESFET )是兩種重要的場效應(yīng)晶體管,分別為MOS大規(guī)模集成電路和MES超高速集成電路的基礎(chǔ)器件。

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