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當(dāng)前位置:上海富瞻環(huán)??萍加邢薰?/a>>>半導(dǎo)體行業(yè)儀器>> MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌Freiberg Instruments
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地上海市
更新時(shí)間:2024-11-02 13:15:41瀏覽次數(shù):71次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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MDPmap被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具,用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā),在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)(μ-PCD)下,在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測(cè)量參數(shù),如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品,包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓,從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。
產(chǎn)品介紹:
MDPmap:
單晶和多晶硅片壽命測(cè)量設(shè)備用于復(fù)雜的材料研究和開(kāi)發(fā)。
特點(diǎn):
◇ 靈敏度:高的靈敏度,用于可視化迄今為止不可見(jiàn)的缺陷和調(diào)查外延層的情況
◇ 測(cè)量速度:6英寸硅片<5min,分辨率為1mm
◇ 壽命范圍:20ns到幾十ms
◇ 污染測(cè)定:源于坩堝和設(shè)備的金屬(鐵)污染
◇ 測(cè)量能力:從切割好的硅片到加工的樣品
◇ 靈活性:固定的測(cè)量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)
◇ 可靠性:模塊化和緊湊型臺(tái)式儀器,可靠性更高,正常運(yùn)行時(shí)間>99%
◇ 重復(fù)性:> 99%
◇ 電阻率:電阻率測(cè)繪,無(wú)需頻繁校準(zhǔn)
技術(shù)規(guī)格:
MDPmap 測(cè)量案例:
碳化硅外延片(>10μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖(平均壽命τ=0.36μs)
高阻硅片(>10000Ω·cm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖
非鈍化硅外延片(20μm)-少數(shù)載流子壽命mapping圖
MDPmap 應(yīng)用:
鐵濃度測(cè)定
鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的,因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的
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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用,但到目前為止,沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測(cè)定
陷阱中心是非常重要的,為了了解材料中載流子的行為,也可以對(duì)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此,需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關(guān)測(cè)量
少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。
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