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Bruker 全自動原子力顯微鏡 InSight AFP
——第五代AFP具有業(yè)界高的分辨率、快的成型速度和快速的3D模具映射
InSight AFP是世上性能*高、行業(yè)首-選的良好技術(shù)節(jié)點CMP輪廓和蝕刻深度計量系統(tǒng)。將其現(xiàn)代尖-端掃描儀與固有的穩(wěn)定電容式壓力計和精確的空氣軸承定位系統(tǒng)相結(jié)合,可以在模具的活動區(qū)域進行非破壞性的直接測量。
·0.3納米長期穩(wěn)定
提供NIST可追蹤的參考計量,并在一年內(nèi)保持測量的穩(wěn)定性
·260-340個站點/小時
內(nèi)聯(lián)應用程序的*高生產(chǎn)效率
減少MAM時間和優(yōu)化的晶圓處理可保持高達50個晶圓/小時的吞吐量
·高達36000微米/秒
仿形速度
通過熱點識別提供高分辨率3D特征
·*高分辨率,尖-端壽命長
InSight AFP的TrueSense®技術(shù),具有原子力分析器經(jīng)驗證的長掃描能力。亞微米特征的蝕刻深度、凹陷和侵蝕可以 自動化地監(jiān)控,具有 的可重復性,無需依賴測試鍵或模型。
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蝕刻和CMP晶片的全自動在線過程控制
Insight AFP結(jié)合了原子力顯微鏡的新創(chuàng)新,包括Bruker的專有CDMode,用于表征側(cè)壁特征和粗糙度。CDmode減少了所需的橫截面數(shù)量,實現(xiàn)了顯著的成本節(jié)約。此外,AFP數(shù)據(jù)提供了無法通過其他技術(shù)獲得的直接側(cè)壁粗糙度測量。
自動缺陷審查和分類
當今集成電路的器件缺陷比以往任何時候都小,需要快速解決HVM需求。InSight AFP提供了有關(guān)半導體晶片和PHTOmask缺陷的快速、可操作的地形和材料信息,使制造商能夠快速識別缺陷源并消除其對生產(chǎn)的影響。
100倍高分辨率配準光學元件和AFM全局對準可使圖案化晶圓和掩模的原始圖像放置精度低于±250 nm,確保感興趣的缺陷是測量的缺陷。該系統(tǒng)與KLARITY和大多數(shù)其他YMS系統(tǒng) 兼容。
3D模具映射和HyperMap™
分析速度高達36000μm/sec,能夠?qū)?3mm x 26mm及更大的閃光場進行快速、完整的3D CMP后表征和檢查。超2納米的平面外運動,實現(xiàn)真正的大規(guī)模地形和全自動拋光后熱點檢測。
在本例中,在24小時內(nèi)以1微米x 1微米像素大小獲得了完整的標準26毫米x 33毫米十字線場掃描。然后可以使用Bruker的熱點檢測和審查功能自動檢測和重新掃描熱點。
售后服務
Bruker 全自動原子力顯微鏡 InSight CAP
——緊湊型高性能剖面儀和AFM
Bruker的InSight CAP自動原子力輪廓儀是專門為半導體制造商和供應商設(shè)計的CMP和蝕刻計量組合平臺。靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸,可實現(xiàn)廣泛終端應用的精確測量。從高生產(chǎn)率的實驗室到全自動化的工廠,InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置,以獲得具成本效益的計量解決方案。
·< 0.5 nm長期動態(tài)再現(xiàn)性
用于關(guān)鍵工藝決策的直接、穩(wěn)定的在線計量
·亞納米
CMP自動計量的靈敏度,專用碟形和腐蝕計量包,用于 的過程控制和開發(fā)
·<20nm
仿形平面度大于26mm
針對關(guān)鍵EUV光刻技術(shù)開發(fā)和過程控制的高精度CMP后平面度計量
在線計量結(jié)果以分鐘為單位,適用于蝕刻和CMP的技術(shù)開發(fā)和過程控制
在高級技術(shù)節(jié)點,多模式光刻技術(shù)對CMP提出了納米級的過程控制要求,以滿足聚焦深度需求。InSight CAP圍繞新一代AFM掃描儀構(gòu)建,在65μm X/Y掃描范圍內(nèi)提供改進的平坦度,小于10納米。該系統(tǒng)的NanoScope®V 64位AFM控制器提供了5倍更快的嚙合性能和5倍更快的調(diào)整速度,以提高生產(chǎn)效率,所有這些都提高了可靠性。其DT自適應掃描模式也有助于加快掃描速度和改進計量。InSight CAP高分辨率剖面儀結(jié)合了多項良好功能,可在宏觀凹陷和侵蝕中實現(xiàn)埃級精度測量。
靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸,可實現(xiàn)廣泛終端應用的精確測量。從高生產(chǎn)率的實驗室到全自動化的工廠,InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置,以獲得具成本效益的計量解決方案。
售后服
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