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Bruker 全自動原子力顯微鏡 InSight AFP

——第五代AFP具有業(yè)界高的分辨率、快的成型速度和快速的3D模具映射

InSight AFP是世上性能*高、行業(yè)首-選的良好技術節(jié)點CMP輪廓和蝕刻深度計量系統(tǒng)。將其現(xiàn)代尖-端掃描儀與固有的穩(wěn)定電容式壓力計和精確的空氣軸承定位系統(tǒng)相結合，可以在模具的活動區(qū)域進行非破壞性的直接測量。

·0.3納米長期穩(wěn)定
提供NIST可追蹤的參考計量，并在一年內保持測量的穩(wěn)定性

·260-340個站點/小時
內聯(lián)應用程序的*高生產(chǎn)效率
減少MAM時間和優(yōu)化的晶圓處理可保持高達50個晶圓/小時的吞吐量

·高達36000微米/秒
仿形速度
通過熱點識別提供高分辨率3D特征

·*高分辨率，尖-端壽命長
InSight AFP的TrueSense®技術，具有原子力分析器經(jīng)驗證的長掃描能力。亞微米特征的蝕刻深度、凹陷和侵蝕可以  自動化地監(jiān)控，具有    的可重復性，無需依賴測試鍵或模型。

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蝕刻和CMP晶片的全自動在線過程控制

Insight AFP結合了原子力顯微鏡的新創(chuàng)新，包括Bruker的專有CDMode，用于表征側壁特征和粗糙度。CDmode減少了所需的橫截面數(shù)量，實現(xiàn)了顯著的成本節(jié)約。此外，AFP數(shù)據(jù)提供了無法通過其他技術獲得的直接側壁粗糙度測量。

自動缺陷審查和分類

當今集成電路的器件缺陷比以往任何時候都小，需要快速解決HVM需求。InSight AFP提供了有關半導體晶片和PHTOmask缺陷的快速、可操作的地形和材料信息，使制造商能夠快速識別缺陷源并消除其對生產(chǎn)的影響。

100倍高分辨率配準光學元件和AFM全局對準可使圖案化晶圓和掩模的原始圖像放置精度低于±250 nm，確保感興趣的缺陷是測量的缺陷。該系統(tǒng)與KLARITY和大多數(shù)其他YMS系統(tǒng)  兼容。

3D模具映射和HyperMap™

分析速度高達36000μm/sec，能夠對33mm x 26mm及更大的閃光場進行快速、完整的3D CMP后表征和檢查。超2納米的平面外運動，實現(xiàn)真正的大規(guī)模地形和全自動拋光后熱點檢測。

在本例中，在24小時內以1微米x 1微米像素大小獲得了完整的標準26毫米x 33毫米十字線場掃描。然后可以使用Bruker的熱點檢測和審查功能自動檢測和重新掃描熱點。

售后服務

Bruker 全自動原子力顯微鏡 InSight  CAP

——緊湊型高性能剖面儀和AFM

Bruker的InSight CAP自動原子力輪廓儀是專門為半導體制造商和供應商設計的CMP和蝕刻計量組合平臺。靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸，可實現(xiàn)廣泛終端應用的精確測量。從高生產(chǎn)率的實驗室到全自動化的工廠，InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置，以獲得具成本效益的計量解決方案。

·< 0.5 nm長期動態(tài)再現(xiàn)性

用于關鍵工藝決策的直接、穩(wěn)定的在線計量

·亞納米
CMP自動計量的靈敏度，專用碟形和腐蝕計量包，用于    的過程控制和開發(fā)

·<20nm
仿形平面度大于26mm
針對關鍵EUV光刻技術開發(fā)和過程控制的高精度CMP后平面度計量

在線計量結果以分鐘為單位，適用于蝕刻和CMP的技術開發(fā)和過程控制

在高級技術節(jié)點，多模式光刻技術對CMP提出了納米級的過程控制要求，以滿足聚焦深度需求。InSight CAP圍繞新一代AFM掃描儀構建，在65μm X/Y掃描范圍內提供改進的平坦度，小于10納米。該系統(tǒng)的NanoScope®V 64位AFM控制器提供了5倍更快的嚙合性能和5倍更快的調整速度，以提高生產(chǎn)效率，所有這些都提高了可靠性。其DT自適應掃描模式也有助于加快掃描速度和改進計量。InSight CAP高分辨率剖面儀結合了多項良好功能，可在宏觀凹陷和侵蝕中實現(xiàn)埃級精度測量。

靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸，可實現(xiàn)廣泛終端應用的精確測量。從高生產(chǎn)率的實驗室到全自動化的工廠，InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置，以獲得具成本效益的計量解決方案。

售后服