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EVG-810LT LowTemp™等離子激活系統(tǒng)
  • EVG-810LT   LowTemp™等離子激活系統(tǒng)

貨物所在地:北京北京市

地: 奧地利

更新時間:2024-10-29 21:00:08

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810LT LowTemp™等離子激活系統(tǒng);適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

EVG®810 LT  LowTemp™ Plasma Activation System

EVG®810LT   LowTemp™等離子激活系統(tǒng)

 

適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

 

技術數(shù)據(jù)

EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨立單元。 處理室允許進行異位處理(晶圓被一一激活并結合在等離子體激活室外部)。

 

特征

表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結)

晶圓鍵合機制中的動力學

無需濕工藝

低溫退火(400°C)下的粘結強度

適用于SOI,MEMS,化合物半導體和高級基板粘接

高度的材料兼容性(包括CMOS)

 

EVG810 LT技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):50-200、100-300毫米

LowTemp™等離子活化室

工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)

通用質量流量控制器:自校準(高達20.000 sccm)

真空系統(tǒng):9x10-2 mbar

腔室的打開/關閉:自動化

腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)

可選功能

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3 mbar基本壓力

符合LowTemp™等離子活化粘結的材料系統(tǒng)

Si:Si / Si,Si / Si(熱氧化,Si(熱氧化)/ Si(熱氧化)

TEOS / TEOS(熱氧化)

絕緣體鍺(GeOI)的Si / Ge

硅/氮化硅

玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半導體:GaAs,GaP,InP

 

聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)

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