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EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System
EVG®810LT LowTemp™等離子激活系統(tǒng)
適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)
技術數(shù)據(jù)
EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨立單元。 處理室允許進行異位處理(晶圓被一一激活并結合在等離子體激活室外部)。
特征
表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結)
晶圓鍵合機制中的動力學
無需濕工藝
低溫退火(400°C)下的粘結強度
適用于SOI,MEMS,化合物半導體和高級基板粘接
高度的材料兼容性(包括CMOS)
EVG810 LT技術數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸):50-200、100-300毫米
LowTemp™等離子活化室
工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)
通用質量流量控制器:自校準(高達20.000 sccm)
真空系統(tǒng):9x10-2 mbar
腔室的打開/關閉:自動化
腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)
可選功能
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3 mbar基本壓力
符合LowTemp™等離子活化粘結的材料系統(tǒng)
Si:Si / Si,Si / Si(熱氧化,Si(熱氧化)/ Si(熱氧化)
TEOS / TEOS(熱氧化)
絕緣體鍺(GeOI)的Si / Ge
硅/氮化硅
玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半導體:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)
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