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ULVAC  研究開發(fā)用濺射設備 QAM系列

QAM 系列鍍膜設備是一種用于研究開發(fā)的精密濺射鍍膜機，可用于各種基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的濺射鍍膜制程

主要特征

A.低壓濺 工藝環(huán)境

l  能在較低壓力下進行濺射成膜（持續(xù)放電壓力 1~0.1Pa     

B.應對磁性材料薄膜的制程

l  陰極可以安裝各種磁場材料的靶材（Fe、Ni、Co 等）

C.多組分共成膜/多層成膜

l  多陰極同時對位基板中心，能夠進行多組分共成膜

l  開閉可控的擋板設計實現(xiàn)多層膜的制備    

D.   良好的膜厚均勻性/穩(wěn)定沉積    

l  傾斜入射的濺射過程，實現(xiàn)良好的膜厚均勻性 

l  采用ULVAC-LTS※ 1技術，大程度抑制陰極邊緣不勻等

離子體對基板的影響，實現(xiàn)穩(wěn)定沉積

注 ）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

E.      UHV 對應 

    l  通過增加選項標準部品，可實現(xiàn)腔體本底 高真空：1.0×10‐6Pa 以下真空壓力。

F.      高拓展性   

l  通過變更相應模塊或部件適應性設計，來實現(xiàn)更多用途

低真空工藝環(huán)境

本設備具備約1Pa～0.1Pa的等離子體持續(xù)放電壓力范圍，與傳統(tǒng)設備相比能  夠在更低壓力下進行濺射成膜。

多組分共濺射/多層膜濺射

本設備具有多陰極同時對準襯底中心的結(jié)構(gòu)，從而能夠進行多組分共濺射成  膜。另外可以通過控制擋板開閉實現(xiàn)多層膜的制備。

良好的膜厚分布

本設備采用對襯底傾斜的入射方式，從而能夠?qū)崿F(xiàn)非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本設備通過采用ULVAC的LTS ※ 1技術，從而能夠盡可能的抑制陰極附近的不均勻等離子體對襯底的影響。

并且，該技術還能夠盡可能的抑制來自陰極磁鐵磁場的影響。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter

對磁性材料薄膜的對應

本設備中使用的陰極能夠?qū)鞣N磁性材料（Fe、Ni、Co等）。

操作界面前置

本設備通過將操作界面集中配置在設備前方，使得操作者能夠僅在設備正面完  成設備的開啟、關閉以及成膜等操作。先進的功能、直觀的的操作以及安全性的實現(xiàn)

Repeatability

能夠確保再現(xiàn)性

本設備能夠?qū)⒊赡ず图訜岬南嚓P參數(shù)作為Recipe保存，從而通過自動運行來實現(xiàn)高再現(xiàn)性的實驗。

Safety

能夠在Interlock設置下安全操作

本設備能夠通過設置Interlock來防止誤操作，從而實現(xiàn)對設備的保護和對人身安全的確保。同時，本設備能夠一并管理設備狀態(tài)，還能夠     任意設定靶材壽命等參數(shù)在某數(shù)值下報警。

Intuitive operation

直觀的操作界面

本設備中排氣和工藝的操作按鈕以動作流程為基準而配置，從而能夠直觀地進行操作工藝。

Analysis

能夠進行工藝數(shù)據(jù)分析

本設備能夠每隔１秒將工藝進行時的壓力、加熱、成膜時間的當前值作為履歷并按時間序列(Time      Series)記錄。收集的數(shù)據(jù)以文本格式保在外部存儲器中，并且能夠利用計算機對保存的數(shù)據(jù)進行分析和記錄。

高拓展性

本設備能夠通過模塊的增設，來對應更多的用途。

低真空工藝環(huán)境

本設備具備約1Pa～0.1Pa的等離子體持續(xù)放電壓力范圍，與傳統(tǒng)設備相比能夠在更低壓力下進行濺射成膜。

多組分共濺射/多層膜濺射

本設備具有多陰極同時對準襯底中心的結(jié)構(gòu)，從而能夠進行多組分共濺射成膜。另外可以通過控制擋板開閉實現(xiàn)多層膜的制備。

良好的膜厚分布

本設備采用對襯底傾斜的入射方式，從而能夠?qū)崿F(xiàn)非常良好的膜厚分布。

采用LTS技術

本設備通過采用ULVAC的LTS※1技術，從而能夠盡可能的抑制陰極附近的不均勻等離子體對襯底的影響。

并且，該技術還能夠盡可能的抑制來自陰極磁鐵磁場的影響。注）※1：LTS：Long Throw Sputter

UHV對應

本設備通過使用可加熱式的各配置，使得成膜腔室的壓力能夠到達1×10-6Pa※2以下。

注）※2：本設備采用O-Ring Seal結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)設備的金屬Seal結(jié)構(gòu)相比更加容易進行維護保養(yǎng)。

對磁性材料薄膜的對應

本設備中使用的陰極能夠?qū)鞣N磁性材料（Fe、Ni、Co等）。