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ALD R-200-PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版
  • ALD R-200-PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版

貨物所在地:北京北京市

地: 芬蘭

更新時(shí)間:2024-07-23 21:00:06

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PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對(duì)象,例如透鏡,光學(xué)器件,珠寶,硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場(chǎng)領(lǐng)dao者。

PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版

PICOSUN™ ALD R-200 Standard

 

名稱:原子層沉積系統(tǒng)  產(chǎn)地:芬蘭
 

Picosun簡(jiǎn)介

Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計(jì),并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶包括   大的電子制造商,小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及  先的大學(xué)。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個(gè)客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內(nèi)置可擴(kuò)展性,可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過(guò)渡到大批量工業(yè)制造中,而不會(huì)出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案,從而引  行業(yè)發(fā)展時(shí),Picosun是您的合作伙伴。

Picosundu特的突破性ALD專業(yè)知識(shí)可追溯到ALD技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ALD方法,并在工業(yè)上獲得了  。在高質(zhì)量ALD系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。高度敬業(yè)的Picosun人員擁有的ALD經(jīng)驗(yàn),并且為ALD的許多  做出了貢獻(xiàn)。

    PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù),并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性,包括 具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度 小的薄膜層。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)du立的,*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN™ R系列du特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過(guò)渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對(duì)大學(xué)來(lái)說(shuō),突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中,就會(huì)吸引到企業(yè)投資。

 

 

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā),例如IC組件,MEMS器件,顯示器,LED,激光和3D對(duì)象,例如透鏡,光學(xué)器件,珠寶,硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場(chǎng)領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了 高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的 終靈活性,可以滿足未來(lái)的需求和應(yīng)用。  的熱壁設(shè)計(jì)具有*du立的入口和儀器,可實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒工藝,適用于晶圓,3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術(shù),即使在 具挑戰(zhàn)性的通孔,超高長(zhǎng)寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài),氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱,粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成,無(wú)論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么,或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域,都可以進(jìn)行高效,靈活的研究,并獲得良好的結(jié)果。

技術(shù)指標(biāo)

 

襯底尺寸和類型

50 – 200 mm /單片

 大可沉積直徑150 mm基片,豎直放置,10-25片/批次(根據(jù)工藝)

156 mm x 156 mm 太陽(yáng)能硅片

3D 復(fù)雜表面襯底(使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳)

粉末與顆粒(配備擴(kuò)散增強(qiáng)器)

多孔,通孔,高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度

50 – 500 °C, 可選更高溫度(真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C)

基片傳送選件

氣動(dòng)升降(手動(dòng)裝載)

預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手(Load lock )

前驅(qū)體

液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源

4根du立源管線, 多加載6個(gè)前驅(qū)體源

對(duì)蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar),用氮?dú)獾容d氣dao入前驅(qū)體瓶?jī)?nèi)引出

重量

350kg

尺寸( W x H x D))

取決于選件

 小146 cm x 146 cm x 84 cm

 大189 cm x 206 cm x 111 cm

選件

PICOFLOW™擴(kuò)散增強(qiáng)器,集成橢偏儀,QCM, RGA,N2發(fā)生器,尾氣處理器,定制設(shè)計(jì),手套箱集

成(用于惰性氣體下裝載)。

驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝

 

 

應(yīng)用領(lǐng)域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm(6”和8”)晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。

 

材料

非均勻性(1σ)

AI2O3 (batch)

0.13%

SiO2 (batch)

0.77%

TiO2

0.28%

HfO2

0.47%

ZnO

0.94%

Ta2O5

1.00%

TiN

1.10%

CeO2

1.52%

Pt

3.41%

 

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