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NE-550-ICP 刻蝕機(jī) :高密度等離子蝕刻裝置NE-550
  • NE-550-ICP 刻蝕機(jī) :高密度等離子蝕刻裝置NE-550

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更新時(shí)間:2024-11-12 21:00:08

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等離子密度與向基板入射的能量能夠單獨(dú)控制,因此Process window寬。
均一性好。
離子性蝕刻到radical性蝕刻都能都大幅度控制。
構(gòu)造簡(jiǎn)單,維護(hù)性能*。

ICP 刻蝕機(jī) :高密度等離子蝕刻裝置NE-550

 

 

特點(diǎn):

等離子密度與向基板入射的能量能夠單獨(dú)控制,因此Process window寬。

均一性好。

離子性蝕刻到radical性蝕刻都能都大幅度控制。

構(gòu)造簡(jiǎn)單,維護(hù)性能*。

來(lái)自半導(dǎo)體技術(shù)研究所的工藝支持體制。

CSCustomer’s Support )解決方案的綜合服務(wù)體制。

可選Cassette室,提高生產(chǎn)量。

 

豐富的Process Application

1.ISM: Inductively Super Magnetron有磁場(chǎng)ICP

2.ISM是可以由低電源得到穩(wěn)定均一的放電,達(dá)到Damage少的蝕刻。

3.使用不揮發(fā)性材料的次時(shí)代memory‐Al2O3,磁性體,Pt, Ir, PZT, SBTO

4.超高頻率器件,光器件。

絕緣膜,GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire,GaNSTO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide,BST, STO

5.各種傳感器器件等Photo Nic結(jié)晶。

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