EVG 810 LT  LowTemp™ Plasma Activation System

EVG 810LT   LowTemp™等離子激活系統(tǒng)

適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨立單元。 處理室允許進(jìn)行異位處理（晶圓被一一激活并結(jié)合在等離子體激活室外部）。

特征

表面等離子體活化，用于低溫粘結(jié)（熔融/分子和中間層粘結(jié)）

晶圓鍵合機制中zui快的動力學(xué)

無需濕工藝

低溫退火（zui高400°C）下的zui高粘結(jié)強度

適用于SOI，MEMS，化合物半導(dǎo)體和高級基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG810 LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等離子活化室

工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000 sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar

腔室的打開/關(guān)閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3 mbar基本壓力

符合LowTemp™等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）

TEOS / TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge