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NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

NEE-4000（A）全自動電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺位于主腔體，二級腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門閥作為預(yù)真空鎖...

NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置，樣品臺位于主腔體，二級腔體則用于安置電子束源。兩個腔體之間的門閥可以作為預(yù)真...

NTE-4000（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點。具有...

NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)...

NTE-3500（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點。具有...

NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝...

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

NMC-4000（M） MOCVD設(shè)備：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD...

NMC-3000等離子輔助MOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓...

NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足準(zhǔn)確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

NLD-3500（A）全自動原子層沉積設(shè)備：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

NLD-4000（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體...

NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電...

NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...