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TOF-SIMS在聚合物薄膜和涂層的光譜分析2024/10/10

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是通過(guò)高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或原子團(tuán)吸收能量而從表面...

二次離子質(zhì)譜儀不同質(zhì)量分析器的區(qū)別2024/9/13

二次離子質(zhì)譜法是一種高效的分析技術(shù)，利用化合物的離子化過(guò)程及其質(zhì)量分析，以確定待測(cè)化合物的分子量、分子式和結(jié)構(gòu)特征。質(zhì)譜儀作為該方法的重要組成部分，通過(guò)將離子的質(zhì)量進(jìn)行有效分離，并依據(jù)電荷與質(zhì)量比率輸...

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀離子源的選擇2024/8/29

TOF-SIMS（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry）飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的基本組件包括一次離子束，和用于樣品深度剖析的離子束。主離子束被脈沖化以供飛行...

使用TOF-SIMS進(jìn)行材料研究2024/8/13

靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來(lái)自固體表面前幾層，這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。Kore公司的TO...

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜的技術(shù)能力2024/8/6

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）是一種表面分析技術(shù)，它將脈沖一次離子束聚焦到樣品表面，在濺射過(guò)程中產(chǎn)生二次離子。分析這些二次離子可提供有關(guān)樣品表面的分子、無(wú)機(jī)和元素種類的信息。例如，如果表面吸...

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀-技術(shù)解讀2024/8/1

什么是TOFSIMS?它可以應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？能提供哪些信息？哪些樣品適用（哪些不適用）？在這一系列文章中，我們將解答所有這些問(wèn)題，以及更多探討。飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（ToFSIMS）是一種用于研究固...

揭秘遠(yuǎn)程微波PECVD系統(tǒng)簡(jiǎn)介2022/8/31

Nano-Master的遠(yuǎn)程微波等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛，包含：基片或粉體的等離子誘導(dǎo)表面改性等離子清洗粉體或顆粒表面等離子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和...

揭秘微波等離子去膠機(jī)2022/8/23

主要用途：MEMS壓力傳感器加工工藝中光刻膠批量處理；去除有機(jī)或無(wú)機(jī)物，而無(wú)殘留；去膠渣、深刻蝕應(yīng)用；半導(dǎo)體晶圓制造中光刻膠及SU8工藝；平板顯示生產(chǎn)中等離子體預(yù)處理；太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中邊緣絕緣和制絨；...

帶你一文領(lǐng)略磁控濺射2022/6/22

主要功能：主要用于半導(dǎo)體應(yīng)用，及各種需要進(jìn)行微納工藝濺射鍍膜的情形?？梢杂糜诮饘俨牧希ń稹y、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應(yīng)濺射能力?；芍С止杵?，氧...

我們的優(yōu)勢(shì)｜離子束刻蝕2020/6/16

我們的優(yōu)勢(shì)｜離子束刻蝕NANO-MASTER的離子束刻蝕系統(tǒng)有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可以根據(jù)不同的應(yīng)用建立不同的結(jié)構(gòu)，不同的樣品臺(tái)和離子源配置可實(shí)現(xiàn)不同的應(yīng)用范圍。系統(tǒng)中的樣品臺(tái)可實(shí)現(xiàn)正負(fù)90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水...

我們的優(yōu)勢(shì)｜NLD4000型原子層沉積2020/6/12

NANO-MASTERNLD-4000型等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)可以提供高品質(zhì)的薄膜沉積，通過(guò)配套ICP離子源系統(tǒng)可以支持PEALD和T-ALD等廣泛應(yīng)用。眾多的優(yōu)勢(shì)配置，使得NLD-4000型系統(tǒng)具...

我們的優(yōu)勢(shì)｜NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)2019/12/11

我們的優(yōu)勢(shì)｜NRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)NANO-MASTERNRE-4000型RIE-HCP系統(tǒng)，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過(guò)配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統(tǒng)可以支持...

我們的優(yōu)勢(shì)｜磁控濺射2019/8/26

NANO-MASTER設(shè)計(jì)制造的磁控濺射系統(tǒng)在行業(yè)內(nèi)有*的競(jìng)爭(zhēng)力，設(shè)備擁有以下突出的優(yōu)勢(shì)：1.計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的自動(dòng)上下片，上面和對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程全部通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，無(wú)需人工操作，并且不會(huì)損傷系統(tǒng)；2.全自...

淋浴頭氣流的平面ICP離子源應(yīng)用于ALD系統(tǒng)2017/9/14

繼NANO-MASTER*技術(shù)的帶淋浴頭氣流分布的平面ICP離子源應(yīng)用于NANO-MASTER的刻蝕系統(tǒng)，ICPECVD沉積系統(tǒng)，PA-MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)之后，該ICP離子源順利應(yīng)用于ALD系統(tǒng)。由于...

進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)的主要特點(diǎn)2016/3/29

進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8"ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可...