多晶硅超聲波清洗機(jī)產(chǎn)品介紹   1、機(jī)械手或多機(jī)械手組合，實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

3、自動(dòng)上下料臺(tái)，準(zhǔn)確上卸工件。

4、凈化烘干槽，*的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無(wú)水漬。

5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

6、具備拋動(dòng)清洗功能，保證清洗均勻。

多晶硅超聲波清洗機(jī)技術(shù)參數(shù) 超聲波功率：10.2KW 超聲波頻率：40K/80KHZ 換能器數(shù)量：200個(gè) 電源電壓：三相五線(xiàn)380V應(yīng)用范圍 多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器 件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的 有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器 皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。 爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗 光刻后清洗：除去光刻膠。 氧化前自動(dòng)清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。 拋光后自動(dòng)清洗：除去切、磨、拋的沾污。 外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。 合 金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線(xiàn)后，表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?。離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。CVD后清洗：除去CVD過(guò)程中的顆粒。附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。