伴隨物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車、消費類電子產(chǎn)品等持續(xù)增長，gao端芯片需求不斷增加，芯片制程不斷減小，集成電路相關(guān)的材料的檢測要求也達到了新的高度。與集成電路制程相關(guān)的晶圓、襯底材料、濕電子化學(xué)品、電子特氣、光刻膠等，以及車間環(huán)境空氣和超純水中痕量的金屬離子、非金屬陰離子和陽離子的限量越來越低。為滿足半導(dǎo)體制程需求，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(semi)制定的相關(guān)標準在不斷提升，國內(nèi)集成電路材料企業(yè)也在不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量，對相關(guān)雜質(zhì)的xian量要求正在接近或超越Semi標準。
2022年9月27日，賽默飛世爾科技與上海市電子化學(xué)品計量檢測平臺在集成電路及材料研發(fā)聚集地上海張江，聯(lián)合舉辦了2022集成電路材料檢測高端論壇。本次會議特別邀請上海計量測試研究院材質(zhì)中心理化室主任薛民杰、集成電路產(chǎn)業(yè)中心主任李春華，以及國內(nèi)半導(dǎo)體材料及制程yi流企業(yè)和科研院所的眾多資深專家，就集成電路材料檢測領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)應(yīng)用、行業(yè)標準等方面進行了熱烈充分的交流與探討。
伴隨物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源汽車、消費類電子產(chǎn)品等持續(xù)增長，高端芯片需求不斷增加，芯片制程不斷減小，集成電路相關(guān)的材料的檢測要求也達到了新的高度。與集成電路制程相關(guān)的晶圓、襯底材料、濕電子化學(xué)品、電子特氣、光刻膠等，以及車間環(huán)境空氣和超純水中痕量的金屬離子、非金屬陰離子和陽離子的限量越來越低。為滿足半導(dǎo)體制程需求，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(semi)制定的相關(guān)標準在不斷提升，國內(nèi)集成電路材料企業(yè)也在不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量，對相關(guān)雜質(zhì)的xian量要求正在接近或超越Semi標準。
2022年9月27日，賽默飛世爾科技與上海市電子化學(xué)品計量檢測平臺在集成電路及材料研發(fā)聚集地上海張江，聯(lián)合舉辦了2022集成電路材料檢測高端論壇。本次會議特別邀請上海計量測試研究院材質(zhì)中心理化室主任薛民杰、集成電路產(chǎn)業(yè)中心主任李春華，以及國內(nèi)半導(dǎo)體材料及制程yi流企業(yè)和科研院所的眾多資深專家，就集成電路材料檢測領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)應(yīng)用、行業(yè)標準等方面進行了熱烈充分的交流與探討。
上海計量測試研究院集成電路產(chǎn)業(yè)中心主任李春華就ICP-MS在集成電路行業(yè)的解決方案進行了詳細解讀。李主任從事檢測分析13年，參與起草國家標準12項，在濕電子化學(xué)品、超純水、AMC、硅片、金屬靶材、電子特氣和光刻膠等集成電路相關(guān)材料中痕量和超痕量雜質(zhì)檢測方面有豐富的經(jīng)驗，所屬實驗室在多種濕電子化學(xué)品、超純水中痕量無機金屬離子、無機非金屬陰離子和陽離子等檢測項目已通過CNAS和CMA認證。
李主任著重介紹了集成電路產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵材料濕電子化學(xué)品和電子特氣的檢測要求，對標semi標準詳細探討了國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀及標準提高的可行性，ICPMS技術(shù)在集成電路行業(yè)中的應(yīng)用及發(fā)展，分享了上海計量測試研究院集成電路產(chǎn)業(yè)中心與賽默飛世爾科技合作開發(fā)的多項濕電子化學(xué)品、電子特氣、光刻膠等材料中痕量金屬離子檢測方法。針對超痕量分析，李主任還現(xiàn)場解答了與會者在實驗過程中遇到的難題，詳細解讀了實驗室環(huán)境和人為因素對檢測結(jié)果的影響。
來自賽默飛的應(yīng)用專家潘廣文、徐牛生、王贇杰就賽默飛離子色譜、高分辨LCMS以及GDMS產(chǎn)品線在集成電路行業(yè)應(yīng)用解決方案進行了詳細解讀。并與李春華主任及其他參會專家就半導(dǎo)體行業(yè)標準、未來發(fā)展趨勢、儀器分析難點等問題進行了深入討論，現(xiàn)場氣氛非常熱烈。
半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用方案
離子色譜應(yīng)用專家潘廣文做了題為離子色譜在集成電路行業(yè)的應(yīng)用方案報告，就離子色譜在集成電路的成熟方案、先進方法和前沿問題為在座專家做了詳細匯報。
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在集成電路用量最大的超純水檢測方面，賽默飛根據(jù)Semi F63的和ASTM D5127標準提供了全面有效的陰陽離子測定方案，該方案在RSD?5%的前提下，滿足20ppt的定量限要求，且連續(xù)7天24小時不停機，樣品隨到隨測，全程只需擺放樣品，近乎“零操作”；
國內(nèi)廠家生產(chǎn)的酸、堿、有機試劑三大系列濕電子化學(xué)品中痕量陰陽離子的檢測水平已經(jīng)達到亞ppb~ppb級別，遠超semi標準；
在光刻和刻蝕領(lǐng)域，賽默飛與行業(yè)相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)合作開發(fā)了光刻膠、研磨液、拋光液、電子特氣等多個先進方案；
同時潘老師的報告還展示了目前賽默飛正在與企業(yè)合作開發(fā)的光刻相關(guān)試劑、硝酸、反應(yīng)型電子特氣以及新型管道包裝材料中痕量陰離子測定方案。
LC-MS全國應(yīng)用經(jīng)理徐牛生為與會專家匯報了賽默飛的高分辨質(zhì)譜設(shè)備在光刻膠配方分析中的解決方案。
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賽默飛高分辨質(zhì)譜具有高超的質(zhì)量精度和靈敏度，可以精準分辨加合狀態(tài)和不同峰簇之間的同位素干擾，豐富的碎片和質(zhì)量精度可以幫助判斷化合物結(jié)構(gòu)組成，正負離子同時掃描可以獲得更多的化合物信息，完善的質(zhì)譜譜庫為客戶在未知物匹配分析方面提供了強有力的支持。對光刻膠、濕電子化學(xué)品中未知物的探索和反應(yīng)機理拓展將促進相關(guān)行業(yè)的質(zhì)量標準不斷提升。
賽默飛GD-MS專家王贇杰為在座專家詳細介紹了GD-MS(輝光放電質(zhì)譜法)的使用特點和應(yīng)用領(lǐng)域。輝光放電質(zhì)譜法采用固體直接進樣技術(shù)，具有樣品制備簡單，背景低，測試高效等優(yōu)點。
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Element GD采用雙模式快速流離子源，連續(xù)直流放電具有高濺射效率，高分析靈敏度和低的記憶效應(yīng)特點，脈沖放電適合于非導(dǎo)體、低熔點金屬和鍍層分析，并結(jié)合高分辨率磁質(zhì)譜確保無干擾分析。使Element GD在硅和碳化硅表面和體相雜質(zhì)、6N+級高純銅、高純鉬、5N級高純金及氧化銦錫ITO等濺射靶材中痕量雜質(zhì)分析中得到廣泛的應(yīng)用。賽默飛與客戶合作，充分利用Element GD的優(yōu)異性能，服務(wù)并yin領(lǐng)高純金屬靶材以及碳化硅等三代半導(dǎo)體材料檢測的新技術(shù)和新標準。
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