產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 加熱方式 | 電阻絲 排 碳棒 硅鉬棒 |
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價(jià)格區(qū)間 | 5千-1萬 | 控溫精度 | ±1℃ |
內(nèi)部尺寸 | φ40 60 80 100 120mm | 升溫速度(達(dá)到最高溫) | 10-60/min |
儀器種類 | 箱式爐 | 最大功率 | 1-30KkW |
最高溫度 | 1200-1800℃ |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD系統(tǒng)PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。 PECVD小型滑動(dòng)開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動(dòng)爐體來實(shí)現(xiàn)快速的升降溫,配置不同的真空系統(tǒng)來達(dá)到理想的真空度;同時(shí)通過多路高精度質(zhì)量流量計(jì)控制不同氣體。是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇。
主要用途:
設(shè)備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于*、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。
產(chǎn)品描述:
該款PECVD系統(tǒng), 可以分為低溫、中溫、高溫三種加熱形式,加熱元件可分為電阻絲(1200℃以下使用)、硅碳棒(1400℃以下使用)、硅鉬棒(1700℃以下使用)等;
PECVD系統(tǒng)主要由供氣系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、射頻電源、真空系統(tǒng)等組成;
1)加熱系統(tǒng)可以分單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)等;
2)真空系統(tǒng)可分為低真空和高真空,高極限真空可以達(dá)到10-4Pa(分子泵組);
3)射頻電源借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中;
4)供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)用戶可選擇質(zhì)量流量計(jì)或浮子流量計(jì),混氣路數(shù)用戶可選2路、3路、4路、5路、6路等相混合(主要根據(jù)客戶工藝要求定制);
PECVD是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體,光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。
爐底(可選)配安裝一對(duì)滑軌,可用手滑動(dòng)(主要適用于1200℃以下加裝滑軌)??梢赃_(dá)到快速升降溫的目的,為取得快加熱速率,可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度,然后移動(dòng)爐子到樣品區(qū)??稍跇悠芳訜岷笠苿?dòng)爐子到另一端,實(shí)現(xiàn)快速降溫功能。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火用的理想產(chǎn)品。
真空等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD系統(tǒng)主要功能和特點(diǎn):
1、 1200℃爐蓋可打開,可以隨時(shí)觀察加熱的物料,并能迅速降溫,滿足材料驟冷驟熱的實(shí)驗(yàn)需要。
2、 爐膛采用*真空吸附成型的優(yōu)質(zhì)氧化鋁多晶纖維制成,保溫效果好,耐用節(jié)能, 不掉粉、反射率高、溫場(chǎng)均衡,等特點(diǎn)。
3、1)、加熱元件采用高電阻優(yōu)質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2,高發(fā)熱溫度可達(dá)1200℃。
2)、加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅碳棒,高發(fā)熱溫度可達(dá)1400℃。
3)、加熱元件采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒,高發(fā)熱溫度可達(dá)1700℃。
4、通過射頻電源實(shí)現(xiàn)輝光放電等方法,產(chǎn)生等離子體。
5、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計(jì),流量顯示儀等組成,實(shí)現(xiàn)氣體的流量的精密測(cè)量和控制;每條氣體管路均配備高壓逆止閥,保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性。
6、爐管采用高純石英管,高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng),熱膨脹系數(shù)極小,能承受驟冷驟熱的溫度;
7、采用KF快速法蘭密封,僅需要一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷,避免了螺栓密封人為操作導(dǎo)致漏氣的可能;減少了因安裝法蘭而造成加熱管損壞的可能;
8、預(yù)留了真空、氣路快速接口,可配合我司真空系統(tǒng)、混氣系統(tǒng)使用;
9、我司可配預(yù)留485轉(zhuǎn)換接口,可通過我部的軟件,與計(jì)算機(jī)互聯(lián),可實(shí)現(xiàn)單臺(tái)或者多臺(tái)電爐的遠(yuǎn)程控制、實(shí)時(shí)追蹤、歷史記錄、輸出報(bào)表等功能;可安裝無紙記錄裝置,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)、輸出;
技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | AS-1200PC | AS-1400PC | AS-1700PC |
高溫度 | 1200℃ | 1400℃ | 1700℃ |
工作溫度 | ≤1100℃ | ≤1300℃ | ≤1600℃ |
加熱元件 | 合金加熱絲 | 優(yōu)質(zhì)硅碳棒 | 優(yōu)質(zhì)硅鉬棒 |
溫控方式 | 智能化30段PID微電腦可編程控制 | ||
溫控保護(hù) | 具有超溫及斷偶報(bào)警功能 | ||
熱 電 偶 | K型/S型/B型 | ||
爐膛材質(zhì) | 高純氧化鋁多晶纖維 | ||
加熱速率 | 0-20℃/分 | ||
恒溫精度 | ±1℃ | ||
均 勻 性 | ±5℃ | ||
爐殼結(jié)構(gòu) | 雙層殼體帶風(fēng)冷系統(tǒng) | ||
供電電源 | 110-480V 50/60Hz | ||
氣路控制 | 浮子流量計(jì)/質(zhì)量流量計(jì) | ||
真空系統(tǒng) | 旋片泵/擴(kuò)散泵/分子泵 | ||
可 選 配 | 水冷機(jī)/數(shù)顯真空計(jì) | ||
售后服務(wù) | 12個(gè)月質(zhì)保、終身保修(易損件除外) | ||
更多規(guī)格可根據(jù)客戶需要定制。 |