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簡要描述：化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高性能的固體材料。因此，該制程通常在半導(dǎo)體工業(yè)中用于制造薄膜。

CVD 化學(xué)氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露於一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環(huán)境中製造高質(zhì)量與高性能的固體材料。因此，該製程通常在半導(dǎo)體工業(yè)中用於製造薄膜。

化學(xué)氣相沉積

Figure 1:化學(xué)氣相沉積的步驟

在典型的CVD中，將前驅(qū)物在室溫下進(jìn)料到反應(yīng)腔體中。當(dāng)它們與加熱的基板接觸時(shí)，它們發(fā)生反應(yīng)或分解以形成薄膜，並沉積在基材上。在此過程中，還會(huì)產(chǎn)生副產(chǎn)物，這些副產(chǎn)物可通過流經(jīng)反應(yīng)腔體的氣流除去。其製程溫度非常重要，會(huì)影響其化學(xué)反應(yīng)。

Figure 2: 示意圖-化學(xué)氣相沉積的步驟

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