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簡要描述：超高真空電子束蒸鍍設(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對于科學(xué)研究非常重要，因為實驗通常要求，在整個實驗過程中，表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)和使用較低能量的電子和離子的實驗技術(shù)的使用，而不會受到氣相散射的過度干擾。

超高真空電子束蒸鍍設(shè)備介紹

超高真空環(huán)境的特徵為其真空壓力低於10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對於科學(xué)研究非常重要，因為實驗通常要求，在整個實驗過程中，表面應(yīng)保持無污染狀態(tài)和使用較低能量的電子和離子的實驗技術(shù)的使用，而不會受到氣相散射的過度干擾。在這樣超高真空環(huán)境下使用電子束蒸鍍，SYSKEY可以提供高品質(zhì)的薄膜。

針對超高真空和高溫加熱設(shè)計基板旋轉(zhuǎn)鍍膜機構(gòu)，使用陶瓷培林旋轉(zhuǎn)，並在內(nèi)部做水冷循環(huán)來保護(hù)機構(gòu)以確保長時間運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性。

超高真空電子束蒸鍍設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
光學(xué)材料研究(LED/Laser Diode)。光電元件。半導(dǎo)體元件。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。腔體為使用金屬密封圈並可烘烤至150oC。腔體的極限真空度約為10-10Torr。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)8吋晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源（1/2/4/6坩堝）。自動鍍膜系統(tǒng)。具有順序操作或共沉積的多個電子束源。基板具有冷卻（液態(tài)氮溫度低至-70°C）或加熱（溫度800°C）等功能。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。結(jié)合離子源、濺鍍槍、熱蒸發(fā)源、等離子清潔...。

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