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簡要描述：多層膜磁控濺鍍設(shè)備廣泛用於各個領(lǐng)域，而對於精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格，包括光、聲音和電子元件。在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中，高質(zhì)量多層膜的作用變得越來越重要。因此，新材料的開發(fā)和薄膜的精確控制製程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向。

多層膜磁控濺鍍設(shè)備的結(jié)構(gòu)廣泛用於各個領(lǐng)域，而對於精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格，包括光、聲音和電子元件。在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中，高質(zhì)量多層膜的作用變得越來越重要。因此，新材料的開發(fā)和薄膜的精確控制製程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向。

SYSKEY的多層膜磁控濺鍍設(shè)備系統(tǒng)擁有基板公自轉(zhuǎn)機構(gòu)，可實現(xiàn)精準(zhǔn)的多層膜結(jié)構(gòu)並可以一次批量生產(chǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
半導(dǎo)體類。納米科技。產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。氧化物、氮化物和金屬材料的研究。太陽能電池。光學(xué)研究。材料研究。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。寬大的前開式門，並有兩個視窗和視窗遮版用於觀察基材和濺鍍源。具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計和用於壓力控制的Baratron真空計。腔體的極限真空度約為10^-8Torr。
配置和優(yōu)點	選件
客製化基板尺寸，直徑可達12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。磁控濺鍍源（最多6個源），具有多種可選的靶材尺寸。射頻、直流或脈衝直流，分別用於非導(dǎo)電，導(dǎo)電靶材。具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源。精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）。基板可加熱到600°C。可調(diào)節(jié)的基材到靶材之間距。每個濺鍍源和基板均安裝遮板。	可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。結(jié)合離子源、熱蒸發(fā)源、電子束...。基板可用射頻或直流偏壓。膜厚監(jiān)測儀。射頻等離子清潔用於基材。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。

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