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退火爐
  • 退火爐

更新時間：2024-11-18 21:00:07

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簡要描述：退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長的膜的狀態(tài)。

退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果。可以加熱晶片以激活摻雜劑，使沉積的膜至密化，并改變生長的膜的狀態(tài)。暴露在高溫下可以修復(fù)損壞。該過程稱為退火。 爐子退火可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，也可以單獨處理。

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退火爐技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 半導(dǎo)體。

  • MEMs。

  • 納米技術(shù)。

  • LED。

  • 太陽能電池產(chǎn)業(yè)。

  • 平板顯示器。

  • 通過使用加圈和水冷不銹鋼法蘭來控製石英管的溫度。

  • 爐管配置：水平，結(jié)合傳送機(jī)構(gòu)。

  • 帶有視窗的手動爐門。


配置和優(yōu)點選件

  • 石英管尺寸：12英寸。

  • 單載片或多載片（最多50個晶圓）。

  • 控制精度：<±1°C。

  • 製程氣體：N2、Ar、H2。

  • 溫度：1700°C。

  • 抽氣閥件前端會有冷凍捕捉器。

  • 易於清潔和維護(hù)。

  • 和自動傳送組成在一起。







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