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壓電力學(xué)探測器

參   考   價(jià): 200000

訂  貨  量: ≥1 套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號MEMS Probe

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地北京市

更新時間:2024-11-08 16:38:08瀏覽次數(shù):352次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
壓電力學(xué)探測器

l 彎曲導(dǎo)軌可實(shí)現(xiàn)最小傾斜度的線性運(yùn)動

l 行程范圍為1 mm

l 力至100 n

l 剛性和無側(cè)隙結(jié)構(gòu)

l 可提供集成位置傳感器

l 壓電執(zhí)行器的使用壽命

l 理想的OEM致動器,用于自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)中的力生成,用于納米壓印工藝或機(jī)床

l 具有更長行程范圍、更短響應(yīng)時間或無磁性的定制版本

壓電力學(xué)探測器

壓電驅(qū)動器參數(shù):

l  彎曲導(dǎo)軌可實(shí)現(xiàn)最小傾斜度的線性運(yùn)動

l  行程范圍為1 mm

l  力至100 n

l  剛性和無側(cè)隙結(jié)構(gòu)

l  可提供集成位置傳感器

l  壓電執(zhí)行器的使用壽命

l  理想的OEM致動器,用于自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)中的力生成,用于納米壓印工藝或機(jī)床

l  具有更長行程范圍、更短響應(yīng)時間或無磁性的定制版本

l  納米定位

l  高速切換

l  膜片鉗

l  微量點(diǎn)膠

l  自適應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)/自動化

l  光子/集成光學(xué)

l  生物技術(shù)

使用壽命

壓電執(zhí)行器均為陶瓷絕緣。這可以保護(hù)它們不受濕度和漏電流增加引起的故障的影響。執(zhí)行器的使用壽命是傳統(tǒng)聚合物絕緣執(zhí)行器的十倍。證明了1000億次循環(huán)中沒有一次故障。

零間隙柔性導(dǎo)軌具有較高的導(dǎo)向精度

柔性導(dǎo)軌無需維護(hù)、摩擦和磨損,并且不需要潤滑。它們的剛度允許高負(fù)載能力,并且對沖擊和振動不敏感。它們在很寬的溫度范圍內(nèi)工作。

可搭配新型MEMS探針。

這些新型MEMS探針具有更大的彈性和熱穩(wěn)定性,因?yàn)樗鼈兙哂懈鼒?jiān)固的組件和新的幾何形狀,類似于去年推出的0.025N/m探針。此外,它們使我們能夠在96個微孔板內(nèi)對探針進(jìn)行小型化測量。新型MEMS探針的剛度分別為0.25±0.073.5±0.7 N/m。半徑為R=3、10、25、50μm0.253.5 N/m探針將取代目前的0.5 N/m5 N/m帶狀懸臂探針。

由于光纖和懸臂之間的間隙更大,波長掃描具有更多的條紋。我們建議增加激光功率以提高信噪比。

MEMS探針的校準(zhǔn)應(yīng)在聚四氟乙烯基板上進(jìn)行,尤其是在空氣中由于靜電力的存在而進(jìn)行測量時。Teflon基板將與探頭一起發(fā)送。由于懸臂共振頻率的變化,開環(huán)階段(階躍而非連續(xù)運(yùn)動)的表面程序可能會顯示懸臂上的振動。如果系統(tǒng)過早停止查找表面程序,則減小步長或增加靈敏度(閾值)。如果使用閉環(huán)壓痕(壓痕-或負(fù)載控制),則變形率(壓痕速度)或最大壓痕深度或負(fù)載不會發(fā)生任何變化,因?yàn)殚]環(huán)操作測量不取決于探針剛度。如果使用開環(huán)壓痕(位移控制),樣品將以較低的變形率(壓痕速度)進(jìn)行測量,并且與使用相同位移輪廓但更硬的探針(0.55 N/m)相比,使用0.253.5 N/m探針將達(dá)到較低的壓痕深度或載荷。您可以通過增加壓電速度和位移來相應(yīng)地調(diào)整位移輪廓。

激光功率調(diào)整

MEMS的較大空腔導(dǎo)致信號的強(qiáng)度較低。為了增加信噪比,可以增加激光功率。您可以將其增加到25.12 mW的最大激光功率。然后,繼續(xù)正常校準(zhǔn)程序。因此,您將看到波長掃描后的增益設(shè)置低于使用最小激光功率時的增益設(shè)置。如果測量是在空氣中進(jìn)行的,則將激光功率從最大功率降低到較低功率,因?yàn)榭諝庵械男盘枏?qiáng)度高得多,并且最大激光功率可能導(dǎo)致信號飽和,這將導(dǎo)致波長掃描后的平坦線。

使用要點(diǎn)

當(dāng)在液體(如水、培養(yǎng)基)中進(jìn)行測量時,您可以通過將探針盒上給出的值除以培養(yǎng)基的折射指數(shù)(如n=1.33)來驗(yàn)證您的校準(zhǔn)幾何因子。如果幾何因素不符合預(yù)期:

-在校準(zhǔn)過程中,檢查探針是否與基板接觸。

-用異丙醇(1-2毫升,持續(xù)0.5-1分鐘)清潔探針和基底,然后用水沖洗以去除任何殘留物。

-校準(zhǔn)后,通過在基板上按與校準(zhǔn)相同的距離(通常為3000 nm)從接觸處壓痕,檢查解調(diào)圓以及壓電和懸臂信號之間的重疊。




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