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霍爾遷移率少子壽命測試儀
  • 霍爾遷移率少子壽命測試儀

貨物所在地：江蘇蘇州市

更新時(shí)間：2024-10-17 10:53:15

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晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，
測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
■適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm（可擴(kuò)展至0.01Ω?cm），完了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。
■全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
■貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。
■專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
■性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。




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