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CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)
【基本信息】
中文名稱：碲化銻薄膜
英文名稱：Sb2Te3
純度：99.9%
存儲：-20℃冷藏、密封、避光
保存時間：1年
用途：僅用于科研，不能用于人體
CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)
【詳情描述】
碲化銻（Sb2Te3）：
性質： 碲化銻是一種拓撲絕緣體，同時也是一種熱電材料。在薄層形式下，它具有電學性質，表現(xiàn)出拓撲絕緣體行為。
應用： Sb2Te3在熱電材料領域有廣泛應用，特別是在相變存儲器（Phase Change Memory，PCM）等器件中。
CVD二維薄膜：
CVD（化學氣相沉積）： CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術。在納米科技中，CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。
應用： CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質量，適用于納米電子學、光電子學、傳感器等應用領域
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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