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| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
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蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)：專為高通量3D分析和樣品制備量身打造的FIB-SEM
蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(FIB-SEM)結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業(yè)實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設(shè)計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統(tǒng)（例如使用LaserFIB進行大規(guī)模材料加工）。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應(yīng)用效率。
使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力
提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率
在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率
通過樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項功能）實現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。
在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實現(xiàn)樣品的表征；使用Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。
配置Gemini光學(xué)系統(tǒng)的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列
得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程。
使用高達(dá)100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。
體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢。
在切割、成像或執(zhí)行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應(yīng)用效率。
使用快速精準(zhǔn)三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質(zhì)量。
Crossbeam 350
利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。通過Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現(xiàn)高質(zhì)量成像。
Crossbeam 550
為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標(biāo)準(zhǔn)尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統(tǒng)即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。
Crossbeam Laser
用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內(nèi)的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結(jié)構(gòu)的入口以及制備要求苛刻的結(jié)構(gòu)（如原子探針樣品）。
Correlative Cryo Workflow（冷凍關(guān)聯(lián)工作流程）
這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)接近原生狀態(tài)的成像。關(guān)聯(lián)寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。
和所有的蔡司場發(fā)射掃描電鏡一樣，蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的場發(fā)射掃描電鏡鏡筒基于Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)。目前兩款鏡筒：配置Crossbeam 350的Gemini I VP鏡筒和配置Crossbeam 550的Gemini II鏡筒可供您選擇。
場發(fā)射掃描電鏡專為高分辨率成像而設(shè)計，其性能取決于它的電子光學(xué)鏡筒。Gemini技術(shù)支持所有的蔡司場發(fā)射掃描電鏡和雙束電鏡：特別為各種樣品，尤其是低電壓下提供高分辨和高效且操作簡單的探測。
Gemini物鏡是靜電透鏡和電磁透鏡復(fù)合的電子光學(xué)結(jié)構(gòu)，可大大提升鏡筒的使用效果，面對富有挑戰(zhàn)性的磁性樣品同樣有出色的成像效果。
Gemini鏡筒配置的電子束加減速技術(shù)，可保證電子束斑尺寸和高信噪比。
Gemini鏡筒內(nèi)設(shè)置的探測器，可確保信號的高效收集，可同時收集二次電子（SE）和背散射電子（BSE）信號。
掃描電鏡電子束對準(zhǔn)可長期保持穩(wěn)定，改變探針電流和加速電壓對系統(tǒng)幾乎沒有影響。
無磁場泄露的光學(xué)系統(tǒng)可實現(xiàn)大視野無畸變高分辨成像。
樣品傾斜轉(zhuǎn)動時不影響電子光學(xué)系統(tǒng)的表現(xiàn)。
更廣的樣品和環(huán)境適用性
放氣或者荷電樣品原位實驗的可行性
利用Inlens EsB探測器實現(xiàn)材料成分襯度
基于雙聚光鏡系統(tǒng)，在低電壓大束流下依然可以獲得高分辨圖像
通過高分辨成像及快速分析技術(shù)可在短時間內(nèi)獲得更多信息
使用Inlens SE和EsB探測器實現(xiàn)形貌及成分襯度同時成像
得益于高度靈敏的表面成像分析
在低著陸能量下獲取高分辨圖像已經(jīng)成為SEM應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。本質(zhì)上因為：
光束敏感樣品
非導(dǎo)電材料
獲得真實樣品表面信息，而不受樣品更深層背景信號的干擾
Gemini電子光學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化低電壓和超低電壓的分辨率并且增強了襯度。
其技術(shù)特點為使用高分辨率電子槍模式和可選的樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel）。
高分辨率電子槍模式通過將電子束最初能量色散降低30%，令電子束色差盡可能降低。
樣品臺減速技術(shù)現(xiàn)配置給蔡司Crossbeam350/550，可以在兩種不同的模式下使用：
樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel）采用兩步式電子束減速模式，它結(jié)合了電子束推進器技術(shù)和對樣品施加的高負(fù)偏壓，使入射束的電子減速，進而有效降低著陸電壓。
施加50V到100V之間的可變負(fù)偏壓，一種應(yīng)用模式可增強您圖像的對比度。
施加1kV到5kV之間的負(fù)偏壓，提高您圖像的低加速電壓分辨率。
樣品臺減速技術(shù)可選樣品偏壓高達(dá)5 kV，進一步提高了低電壓下的出色成像能力
發(fā)現(xiàn)一種新的聚焦離子束（FIB）處理方式
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進程，并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能。
蔡司Crossbeam產(chǎn)品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor，具有可實現(xiàn)高通量的高電流以及用于高樣品質(zhì)量的出色低電壓性能。
充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來提升樣品質(zhì)量。
盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結(jié)果。
產(chǎn)品具備全面穩(wěn)定性，確保您獲得精準(zhǔn)且可重復(fù)的結(jié)果。
通過快速探頭電流交換加速您的FIB應(yīng)用。
借助高達(dá)100 nA的電子束流可進行高通量實驗。
實現(xiàn)小于3 nm的出色的FIB分辨率。
Crossbeam產(chǎn)品系列配有用于長期實驗的自動FIB發(fā)射恢復(fù)功能。
蔡司雙束電鏡Crossbeam 550配有Gemini II鏡筒，包括雙聚光鏡和兩個Inlens探測器以及一個以54°傾斜角度裝置的FIB鏡筒
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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