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Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋
  • Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋

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更新時(shí)間:2024-06-27 21:00:06

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Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋
用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的IR輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的膜基于C-MOSI®技術(shù),膜溫度高達(dá)800°C。它可以長(zhǎng)期穩(wěn)定地輸出輻射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨(dú)立和手持式應(yīng)用。我們的紅外發(fā)射器中使用的MEMS芯片由多層加熱板膜組成,該膜包含高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。

Micro-Hybrid

C_MOSI®紅外輻射源,TO46,帶蓋


經(jīng)濟(jì)型紅外輻射源,用于低輸入功率的氣體分析應(yīng)用中的大量

•廉價(jià)的組件標(biāo)準(zhǔn)MEMS技術(shù)和CMOS兼容

•使用SMD外殼進(jìn)行有效的自動(dòng)組裝過(guò)程

•加熱板溫度高達(dá)800°C,具有良好的輻射性能

•由于熱質(zhì)量不足而導(dǎo)致的高調(diào)制深度

Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋

描述

用于NDIR氣體分析和其他紅外測(cè)量應(yīng)用的IR輻射源。MEMS紅外發(fā)射器的膜基于C-MOSI®技術(shù),膜溫度高達(dá)800°C。它可以長(zhǎng)期穩(wěn)定地輸出輻射。發(fā)射器所需的低輸入功率還支持獨(dú)立和手持式應(yīng)用。我們的紅外發(fā)射器中使用的MEMS芯片由多層加熱板膜組成,該膜包含高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射極芯片基于硅基板,背面蝕刻有膜。所有薄膜工藝均使用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料進(jìn)行。有源C-MOSI電阻層具有保護(hù)環(huán)境的功能。

Micro-Hybrid C_MOSI®紅外輻射源TO46帶蓋

技術(shù)指標(biāo)

標(biāo)題

Micro Hybrid | C_MOSI®IR Strahler, TO46 mit Kappe

型號(hào)

JSIR340-5-BL-C-D2.55-0-0

項(xiàng)目編號(hào)

6342.04-0.00

套管

TO46

附加裝置

Kappe

窗口/濾光片

Nein

填充氣體

Nein

有效區(qū)域[mm2]

0.65 x 0.65

能量消耗

Niedrig


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