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上海攸亦光電科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

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Si單元探測(cè)器

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地上海市

更新時(shí)間:2024-10-12 09:46:40瀏覽次數(shù):207次

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
Si單元探測(cè)器:Si單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電,輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響,具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

Si單元探測(cè)器


產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Si單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電,輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響,具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 噪聲低

  • 高增益

  • 高帶寬

  • 結(jié)構(gòu)緊湊

  • 內(nèi)置低噪隔離電源

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光測(cè)距

  • 光譜測(cè)量

  • ns 級(jí)光脈沖探測(cè)

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

PD-100M-B

PD-200M-B

PD-300M-B

PD-400M-B

PD-500M-B

PD-1G-B

PD-2G-B

單位

探測(cè)器類型

Si


波長(zhǎng)

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

探測(cè)器響應(yīng)度

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

A/W@850nm

跨阻增益

30K

30K

30K

10K

5K

30K

15K

V/A

最大輸入光功率

240

240

240

725

1450

240

480

uW

NEP

11

11

11

14

18

20

20

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Q

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

0.3(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC(自由空間光可選)


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20

mm


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