雙燈太陽(yáng)光模擬器

為什么選擇全光譜太陽(yáng)光模擬器

一、目前氙燈太陽(yáng)光模擬器可用光譜范圍只有300nm~1100nm，這對(duì)于硅晶體系太陽(yáng)能電池/組件等光譜響應(yīng)范圍比較窄的測(cè)試沒有問題；但是對(duì)于光譜響應(yīng)范圍超過1100nm的前后結(jié)、多結(jié)、半導(dǎo)體化合物等和新型薄膜太陽(yáng)能電池測(cè)試，就不能實(shí)現(xiàn)全光譜范圍的*響應(yīng)，此時(shí)測(cè)量的數(shù)據(jù)則不能準(zhǔn)確表達(dá)太陽(yáng)能電池本征性能；采用全光譜太陽(yáng)光模擬器可有效解決這個(gè)問題；

第二、光譜不匹配性優(yōu)于±5%（高于標(biāo)準(zhǔn)值±25%），有效的避免了光譜不匹配引起的光譜失配誤差，不僅提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性，而且增加了數(shù)據(jù)的可信度；

雙燈太陽(yáng)光模擬器

主要應(yīng)用：
滿足各種太陽(yáng)能電池的測(cè)試，例如非晶硅(Amorphus Silicon, a-Si)、微晶硅(Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si)、半導(dǎo)體化合物II-IV 族[CdS、CdTe(碲化鎘)、CuInSe2]、染料敏化電池(DSSC)、有機(jī)導(dǎo)電高分子(Organic/polymer solar cells) 、CIGS (銅銦硒化物)、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、疊層太陽(yáng)能電池測(cè)試等；

主要特點(diǎn)：
1）匹配AAA Class標(biāo)準(zhǔn)；
2）AM1.5G，范圍：300nm~1800nm；

3）光譜不匹配度(IEC 60904-9 ): <±5%，class A+ ；

4）有效照射面積內(nèi)光強(qiáng)不均勻度(IEC 60904-9 ): <2%，class A ；
5) 光強(qiáng)穩(wěn)定度(IEC 60904-9 ): 1%，class A ；
6）光源穩(wěn)定輸出壽命：1000小時(shí)；
7）有效照射面積：50mm×50mm~30mmX300mm；
8）擴(kuò)展AM0光譜；
9）光強(qiáng)調(diào)節(jié)范圍：±30%；

實(shí)測(cè)光譜圖：

AM1.5G光譜

AM0光譜

擴(kuò)展功能：
1）測(cè)試源表；
2）測(cè)試探針臺(tái)；
4）標(biāo)準(zhǔn)電池reference Cell；
5）多路控制器；
6）溫控測(cè)試臺(tái)；
7）IV測(cè)試軟件:
  *基本測(cè)量功能： 完整 I-V 曲線測(cè)量， 完整 P-V 曲線測(cè)量，短路電流 Isc 測(cè)量，開路電壓 Voc 測(cè)量， 短路電流密度 Jsc 測(cè)量，峰值功率 Pmax 測(cè)量，峰值功率電流 Imp 測(cè)量，峰值功率電壓 Vmp 測(cè)量，效率測(cè)量，填充因子 FF 測(cè)量，串聯(lián)電阻 Rs 測(cè)量，并聯(lián)電阻 Rsh 測(cè)量；
  *Light光照條件下，太陽(yáng)能電池IV 和PV曲線測(cè)量（包含F(xiàn)orward正向掃描和Reverse反向掃描測(cè)試功能）；
  *Light光照條件或Dark無光照條件下，太陽(yáng)能電池I-V 和P-V曲線測(cè)量，I-t曲線和V-t曲線測(cè)量；
  *Bias偏壓或Steady State穩(wěn)態(tài)測(cè)量功能（太陽(yáng)能電池效率衰減測(cè)試功能）；
  *MPPT功率追蹤測(cè)試功能（Pmax功率點(diǎn)隨時(shí)間的變化）；
  *Repeatability 重復(fù)性測(cè)試功能；