Behlke MOSFET 低耦合電容件

高壓開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容，MOSFET

●具有真正繼電器特性的多功能高壓開(kāi)關(guān)

●TTL信號(hào)可控制導(dǎo)通時(shí)間

●由于耦合電容較低，簡(jiǎn)化了EMC并降低了容性損耗

●LC2技術(shù)具有最高的瞬態(tài)抗擾度

應(yīng)用筆記一:

C3產(chǎn)品組的開(kāi)關(guān)針對(duì)控制側(cè)和接地的耦合電容進(jìn)行了優(yōu)化。低耦合電容是高重復(fù)率下高效工作的關(guān)鍵?？紤]到低噪聲發(fā)射、良好的EMC行為、穩(wěn)定的操作和高開(kāi)關(guān)速度，減小的耦合電容也是期望的。LC和LC2開(kāi)關(guān)都能很好地滿(mǎn)足這些要求。但如果是最高開(kāi)關(guān)頻率(%3E 300千赫)，那么開(kāi)關(guān)系列LC是不錯(cuò)的選擇。LC系列的缺點(diǎn)是其有限的瞬態(tài)抗擾性，這使得它們對(duì)火花放電、短路、不穩(wěn)定的負(fù)載和不穩(wěn)定的輸入電壓相對(duì)敏感。與此相反，LC2系列開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)用于惡劣工作條件下的中等開(kāi)關(guān)頻率(%3C 300 kHz)。LC2開(kāi)關(guān)對(duì)不穩(wěn)定負(fù)載(例如等離子體負(fù)載)和不穩(wěn)定輸入電壓不敏感。在其散熱能力范圍內(nèi)，它們可以抵抗火花放電、短路和過(guò)壓瞬變。

應(yīng)用筆記二:

BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度，我們建議您使用速度限制選項(xiàng)S-TT(上升和下降時(shí)間大約慢。50%)，結(jié)合輸入低通濾波器選項(xiàng)LP。速度限制選項(xiàng)有助于最小化快速高壓脈沖電路的高頻困難(例如自振蕩、自重新觸發(fā)、振鈴等)。)并從總體上簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)。

應(yīng)用附注三:

快速MOSFET開(kāi)關(guān)對(duì)來(lái)自未箝位感性負(fù)載或過(guò)度布線(xiàn)電感的反向電流相對(duì)敏感。

反向電流可能會(huì)以不確定的方式開(kāi)啟緩慢的本征(寄生)MOSFET二極管，并可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開(kāi)關(guān)故障，尤其是在關(guān)斷階段以及高關(guān)斷電流期間。因此，當(dāng)感性負(fù)載或高感性布線(xiàn)連接到開(kāi)關(guān)時(shí)，建議始終將MOSFET開(kāi)關(guān)與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)(快速串聯(lián)阻塞二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管)結(jié)合使用。

這種保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管安裝在外部。它也可以作為選項(xiàng)I-FWDN集成到交換模塊中。請(qǐng)仔細(xì)閱讀一般說(shuō)明。

產(chǎn)品代碼:

型號(hào)包含有關(guān)電壓、電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前幾個(gè)數(shù)字代表以kV為單位的電壓，破折號(hào)前的最后一個(gè)數(shù)字表示導(dǎo)通行為(0 =固定導(dǎo)通時(shí)間，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間)。破折號(hào)后的數(shù)字表示電流，單位為安培x10。特殊功能由第二個(gè)破折號(hào)后的字母編碼。 HTS 31-12-LC示例:HTS =高壓晶體管開(kāi)關(guān)，3 = 3 kV，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間，12 = 120安培，LC =低耦合電容。

Behlke MOSFET 低耦合電容件

LC2開(kāi)關(guān)。強(qiáng)大、穩(wěn)健和短暫的證明。請(qǐng)向下查看選項(xiàng)列表。

產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容

1)  HTS 901-10-LC2，采用高壓瞬變防護(hù)LC2技術(shù)的低電容MOSFET開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)旨在滿(mǎn)足非?？量痰墓I(yè)要求。隔離電壓%3E 150千伏
(可選高達(dá)300 kV)。帶有內(nèi)置控制單元(可更換)。90千伏直流電，100安導(dǎo)通電阻%3C 40歐姆。開(kāi)啟上升時(shí)間%3C50 ns。
2)  HTS 901-10-LC2，同上，但帶有選項(xiàng)SEP-C(獨(dú)立控制單元)和選項(xiàng)DLC(直接液體冷卻)。
HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開(kāi)關(guān)，帶選項(xiàng)th(管狀外殼)和選項(xiàng)DLC(直接液體冷卻)。100千伏直流電，200安一包。上升時(shí)間%3C最大50 ns。功耗30千瓦

漢達(dá)森*田*永*福

北京漢達(dá)森機(jī)械技術(shù)有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事歐洲工業(yè)產(chǎn)品進(jìn)口貿(mào)易的公司。主要產(chǎn)品有工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)電設(shè)備、液壓設(shè)備、電氣設(shè)備和零部件等產(chǎn)品。公司總部于2007年在德國(guó)成立。公司自成立以來(lái)，一直以德國(guó)公司的身份為國(guó)內(nèi)一些貿(mào)易商，設(shè)備商及終端客戶(hù)提供產(chǎn)品代購(gòu)服務(wù)。目前我們是德國(guó)、意大利、瑞典等數(shù)家工業(yè)設(shè)備生產(chǎn)商的中國(guó)區(qū)總代理；德國(guó)、意大利十幾家工業(yè)設(shè)備企業(yè)的一級(jí)分銷(xiāo)商。優(yōu)勢(shì)品牌超過(guò)八十個(gè)。與歐洲區(qū)兩千個(gè)以上的供貨商有業(yè)務(wù)往來(lái)。

我們的優(yōu)勢(shì)：

1 渠道廣泛，國(guó)內(nèi)有代理，或者有客戶(hù)保護(hù)廠家不賣(mài)的產(chǎn)品，只要您能提供型號(hào)，我們同樣可以從德國(guó)的分銷(xiāo)商來(lái)采購(gòu)。

2 價(jià)格合理，繞過(guò)層層代理，最大限度的讓利給客戶(hù)。

3 直接從德國(guó)廠家采購(gòu)，保證所有產(chǎn)品均為原裝正品。

型號(hào)參數(shù)：

HTS 240-48-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 240-104-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 241-30-SiC

Silicon Carbide Switch

Ursprungsland: DE

HTS 401-160-LC2

MOSFET Switch

FSWP 51-02 (NO)

Fast Square Wave Pulser No Options

GCF VI

Option Grounded Cooling Flange, Category VI

EXPRESS DE

Ursprungsland: DE

HTS 201-15-SiC

Silicon Carbide Switch

HTS 121-160-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 500-80

MOSFET Switch

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE