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當(dāng)前位置：武漢賽斯特精密儀器有限公司>>半導(dǎo)體測(cè)試儀器解決方案>>半導(dǎo)體檢測(cè)儀器設(shè)備>> HEP-MC8000晶圓檢測(cè)機(jī)
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)HEP-MC8000
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時(shí)間：2024-10-10 18:51:48瀏覽次數(shù)：278次
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ITC57300 MOS管半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
ITC57300分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
晶圓檢測(cè)機(jī)采用非接觸檢測(cè)系統(tǒng)，對(duì)晶圓的平面度、厚度、粗糙度等進(jìn)行檢測(cè)并分類，并完成晶圓標(biāo)記及數(shù)據(jù)處理。
該設(shè)備產(chǎn)能：1片/分鐘。
該設(shè)備主要包含：
運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)：將晶圓放入工作臺(tái)，通過(guò)高精度運(yùn)動(dòng)模組，移動(dòng)晶圓進(jìn)行掃描檢測(cè)。
檢測(cè)部分：集成相機(jī)、激光三維輪廓測(cè)量?jī)x、位移激光傳感器對(duì)晶圓的厚度、平面度、粗糙度等進(jìn)行全方面的檢測(cè)。
晶圓檢測(cè)機(jī)檢查內(nèi)容：
檢查項(xiàng)目 | 指 標(biāo) | 備 注 | |
表面缺陷檢查 | 崩邊（非立崩）、缺口 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率100% | 圖像灰度值差距>30；列出大小指標(biāo)是可檢能力，設(shè)置過(guò)小會(huì)存在誤判多的問(wèn)題，因此設(shè)定參數(shù)需按實(shí)際生產(chǎn)需求設(shè)定 |
沾污 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率≥95% 誤檢率<0.5%（大小≥450um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標(biāo)） | ||
劃傷 | 可檢能力≥170um*170um 檢出率>95%（大小≥170um*450um情況下或?qū)嶋H生產(chǎn)需求設(shè)定的指標(biāo)） 劃傷淺易漏檢 | ||
3D檢測(cè) | 厚度 | 檢測(cè)精度分辨率+/-0.25um 測(cè)量重復(fù)性：≤±1μm GR&R<10% | 最大、最小、平均值 |
TTV | 測(cè)量精度+/-2um GR&R<10% | TTV整條線 | |
翹曲、變形 | 測(cè)量精度+/-2um GR&R<20% | 最大值 | |
平面度 | +/-0.5um | 偏差值 | |
粗糙度 | 計(jì)算值 | ||
處理能力 | 檢測(cè)周期 | 60s/片 | |
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