應(yīng)用領(lǐng)域 |
生物產(chǎn)業(yè) |
對于需要在30K到500K之間對溫度進(jìn)行測量和控制的場合,PT100鉑電阻溫度計(jì)是一個(gè)*的選擇。在這個(gè)溫度范圍內(nèi),鉑電阻溫度計(jì)有很好的重復(fù)性和幾乎不變的靈敏度。在誤差允許的范圍內(nèi)(1度),鉑電阻溫度計(jì)也可以應(yīng)用在磁場和輻射環(huán)境中。
T100鉑電阻溫度傳感器對于需要在30K到500K之間對溫度進(jìn)行測量和控制的場合,PT100鉑電阻溫度計(jì)是一個(gè)*的選擇。在這個(gè)溫度范圍內(nèi),鉑電阻溫度計(jì)有很好的重復(fù)性和幾乎不變的靈敏度。在誤差允許的范圍內(nèi)(1度),鉑電阻溫度計(jì)也可以應(yīng)用在磁場和輻射環(huán)境中。
70K 以上鉑電阻溫度計(jì)具有通用的標(biāo)準(zhǔn)曲線,這使得鉑電阻溫度計(jì)擁有很好的互換性。錦正茂提供的薄膜型鉑電阻,尺寸更小,響應(yīng)時(shí)間更短,應(yīng)用場合更加廣泛。
T100鉑電阻溫度傳感器特點(diǎn)
※ 40K 以上受磁場影響較小;
※ 受電離輻射影響極??; v
※ 提供兩點(diǎn)或三點(diǎn)或多點(diǎn)校準(zhǔn)。
T100鉑電阻溫度傳感器參數(shù)
※ 溫度范圍:14K ~ 873K
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線:IEC 751
※ 推薦激勵(lì)電流:1mA
※ 推薦激勵(lì)下的耗散功率:100μW@273K
※ 響應(yīng)時(shí)間:1.5S@77K,10S@273K ※ 靈敏度:遵循PT100典型靈敏度曲線
※ 輻射影響:可以在輻射環(huán)境下使用
※ 磁場影響:不推薦40K以下的磁場環(huán)境中使用
※ 重復(fù)性:±10 mK@77K(通過100次300K到77K 的熱沖擊測試而來)
溫度 | R(Ω) | S(Ω/K) |
20K | 2.2913 | 0.085 |
50K | 9.3865 | 0.360 |
77k | 20.380 | 0.423 |
150K | 50.788 | 0.409 |
300K | 110.354 | 0.387 |
600K | 221.535 | 0.372 |
800K | 289.789 | 0.360 |
T100鉑電阻溫度傳感器典型特征曲線
T100鉑電阻溫度傳感器標(biāo)定精度:
| 20-77K | 77-305K | 305 -400K | 400-475K | 475-500K |
2P | | ±0.25K | ±0.9K | ±1.3K | ±1.4K |
3P | | ±0.1K | | | ±1.4K |
20L | ±0.1K | ±0.1K | | | |
20H | ±0.1K | ±0.1K | ±0.1K | ±0.1K | ±0.1K |
70L | | ±0.1K | | | |
70H | | ±0.1K | ±0.1K | ±0.1K | ±0.1K |
2P:77K和273K標(biāo)定 3P:77K、273K和475K標(biāo)定 |
封裝形式以及尺寸(封裝參照DT640封裝尺寸)
選型步驟參照DT640選型步驟進(jìn)行
T100鉑電阻溫度傳感器