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產(chǎn)品型號(hào)E2N 1600 T LSIG 4P WMP
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地溫州市
更新時(shí)間:2023-10-17 17:46:10瀏覽次數(shù):339次
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藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有:ABB、西門(mén)子、施耐德、瑞士佳樂(lè) 上海人民、TCL羅格朗,歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開(kāi)關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶至上, 優(yōu)質(zhì)服務(wù)"的宗旨,追求用戶滿意"的核心理念。智能型電動(dòng)機(jī)馬達(dá)保護(hù)器
保護(hù)器是指針對(duì)電器提供用電安全保護(hù)的裝置,它內(nèi)置有智能的防高壓裝置,在電器遭遇瞬間高電壓的異常情況下,會(huì)智能啟動(dòng)內(nèi)部保護(hù)裝置,確保后端用電器的用電安全??梢苑譃閮纱箢?一是家用保護(hù)器;二是機(jī)械之類的保護(hù)器,根據(jù)不同的需求選擇相應(yīng)的保護(hù)器。
家用電器集成化越來(lái)越高,特別是家中電腦以及液晶電視等電器,對(duì)電源電壓的穩(wěn)定性非常敏感。通常家用電器能承受的瞬間高壓在1000-2500伏,但是日常生活中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)異常高電壓的情況,而且電壓都遠(yuǎn)高于電器自身這個(gè)水平,過(guò)高的電壓會(huì)直接擊穿家用電器的主要工作元件,導(dǎo)致用電器的損壞。保護(hù)器因?yàn)閮?nèi)置有放高壓裝置技術(shù),能有效抵御異常電壓造成的意外傷害,使電路中的瞬間高壓不會(huì)超過(guò)1000v,保護(hù)您的家用電器安全。智能型電動(dòng)機(jī)馬達(dá)保護(hù)器
在以下情況中經(jīng)常出現(xiàn)異常電壓,會(huì)對(duì)電器形成傷害。
1)打雷,打雷時(shí)會(huì)在雷擊點(diǎn)周邊地區(qū)的電源線路上形成感應(yīng)雷,瞬間電壓到達(dá)上萬(wàn)伏,會(huì)隨著電源線傳播到很遠(yuǎn)地方,并影響到線路上鏈接者的電器;
2)開(kāi)關(guān)電器,特別是大功率電器(如空調(diào))的電源在啟動(dòng)開(kāi)關(guān)的瞬間,會(huì)在線路上形成瞬間高電壓(高達(dá)上千伏),影響線路上的其他電器;
3)電力公司開(kāi)關(guān)電閘,停電后電力部門(mén)啟動(dòng)電閘恢復(fù)供電的瞬間,會(huì)形成幾千伏甚至上萬(wàn)伏的瞬間高壓;
4)電壓不穩(wěn),由于能源緊張,用電控制等因素,在用電高峰期間經(jīng)常出現(xiàn)電壓不穩(wěn)現(xiàn)象;
GDH-22 雙觸點(diǎn)保護(hù)器(1常開(kāi) 1常閉輸出)
GDH-23 保護(hù)器(逆相保護(hù))
GDH-24 大穿孔保護(hù)器(穿線孔3042mm>)
GDH-26 電壓保護(hù)器
GDH-20S 水泵保護(hù)器(有抽空保護(hù)功能)
GDH-20SD 手動(dòng)復(fù)位功能 (增加了手動(dòng)/自動(dòng)復(fù)位功能,GDH-24系列都具備此功能)
GDH-23 系列保護(hù)器可用于缺相、相序保護(hù)。它是采用鎖相環(huán)相位控制技術(shù),不同于普通的阻容移相方式,所以穩(wěn)定可靠,不受電壓、環(huán)境的影響。
2006年7月18日:英特爾®安騰®2雙核處理器發(fā)布,采用復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì),含有17.2億個(gè)晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。
2006年7月27日:英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個(gè)晶體管,采用英特爾65納米制程技術(shù)在先進(jìn)的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)。
2006年9月26日:英特爾宣布,超過(guò)15種45納米制程產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā),面向臺(tái)式機(jī)、筆記本和企業(yè)級(jí)計(jì)算市場(chǎng),研發(fā)代碼Penryn,是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。2007年1月8日:為擴(kuò)大四核PC向主流買(mǎi)家的銷售,英特爾發(fā)布了針對(duì)桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個(gè)晶體管。
2007年1月29日:英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強(qiáng)系列多核處理器的數(shù)以億計(jì)的45納米晶體管或微小開(kāi)關(guān)中用來(lái)構(gòu)建絕緣“墻"和開(kāi)關(guān)“門(mén)",研發(fā)代碼Penryn。2010年11月,NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心,含30億個(gè)晶體管,采用先進(jìn)的40納米工藝制造。2011年05月05 日:英特爾成功開(kāi)發(fā)世界1個(gè)3D晶體管,稱為tri-Gate。
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