【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準時發(fā)貨

流程一：1、客戶確認所需采購產(chǎn)品型號

流程二：2、我方會根據(jù)詢價單型號查詢價格以及交貨期，擬一份詳細正規(guī)報價單

流程三：3，客戶收到報價單并確認型號無誤后訂購產(chǎn)品

流程四：4、報價單負責(zé)人根據(jù)客戶提供型號以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六：6、我公司財務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運單

藍伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機電等。堅持“用戶至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)"的宗旨，追求用戶滿意"的核心理念。智能型電動機馬達保護器

保護器是指針對電器提供用電安全保護的裝置，它內(nèi)置有智能的防高壓裝置，在電器遭遇瞬間高電壓的異常情況下，會智能啟動內(nèi)部保護裝置，確保后端用電器的用電安全?？梢苑譃閮纱箢?一是家用保護器;二是機械之類的保護器，根據(jù)不同的需求選擇相應(yīng)的保護器。

家用電器集成化越來越高，特別是家中電腦以及液晶電視等電器，對電源電壓的穩(wěn)定性非常敏感。通常家用電器能承受的瞬間高壓在1000-2500伏，但是日常生活中經(jīng)常會出現(xiàn)異常高電壓的情況，而且電壓都遠高于電器自身這個水平，過高的電壓會直接擊穿家用電器的主要工作元件，導(dǎo)致用電器的損壞。保護器因為內(nèi)置有放高壓裝置技術(shù)，能有效抵御異常電壓造成的意外傷害，使電路中的瞬間高壓不會超過1000v，保護您的家用電器安全。智能型電動機馬達保護器

在以下情況中經(jīng)常出現(xiàn)異常電壓，會對電器形成傷害。

1)打雷，打雷時會在雷擊點周邊地區(qū)的電源線路上形成感應(yīng)雷，瞬間電壓到達上萬伏，會隨著電源線傳播到很遠地方，并影響到線路上鏈接者的電器;

2)開關(guān)電器，特別是大功率電器(如空調(diào))的電源在啟動開關(guān)的瞬間，會在線路上形成瞬間高電壓(高達上千伏)，影響線路上的其他電器;

3)電力公司開關(guān)電閘，停電后電力部門啟動電閘恢復(fù)供電的瞬間，會形成幾千伏甚至上萬伏的瞬間高壓;

4)電壓不穩(wěn)，由于能源緊張，用電控制等因素，在用電高峰期間經(jīng)常出現(xiàn)電壓不穩(wěn)現(xiàn)象;

GDH-22 雙觸點保護器（1常開 1常閉輸出）
GDH-23 保護器（逆相保護）
GDH-24 大穿孔保護器（穿線孔3042mm>）
GDH-26 電壓保護器
GDH-20S 水泵保護器（有抽空保護功能）
GDH-20SD 手動復(fù)位功能 （增加了手動/自動復(fù)位功能，GDH-24系列都具備此功能）
GDH－23 系列保護器可用于缺相、相序保護。它是采用鎖相環(huán)相位控制技術(shù)，不同于普通的阻容移相方式，所以穩(wěn)定可靠，不受電壓、環(huán)境的影響。

2006年7月18日：英特爾®安騰®2雙核處理器發(fā)布，采用復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計，含有17.2億個晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。

2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在先進的幾個實驗室生產(chǎn)。

2006年9月26日：英特爾宣布，超過15種45納米制程產(chǎn)品正在開發(fā)，面向臺式機、筆記本和企業(yè)級計算市場，研發(fā)代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。2007年1月8日：為擴大四核PC向主流買家的銷售，英特爾發(fā)布了針對桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個晶體管。

2007年1月29日：英特爾公布采用突破性的晶體管材料即高-k柵介質(zhì)和金屬柵極。英特爾將采用這些材料在公司下一代處理器——英特爾酷睿2雙核、英特爾酷睿2四核處理器以及英特爾至強系列多核處理器的數(shù)以億計的45納米晶體管或微小開關(guān)中用來構(gòu)建絕緣“墻"和開關(guān)“門"，研發(fā)代碼Penryn。2010年11月，NVIDIA發(fā)布全新的GF110核心，含30億個晶體管，采用先進的40納米工藝制造。2011年05月05 日：英特爾成功開發(fā)世界1個3D晶體管，稱為tri-Gate。