【接近開關(guān)、光電開關(guān)藍(lán)伊電氣工作理念】

承諾一：1、保證全新*

承諾二：2、詳聊（邀扒您-伍琦琦邀而琦琦爾）

承諾三：3、保證售后服務(wù)質(zhì)量

承諾四：4、保證安全準(zhǔn)時(shí)發(fā)貨

流程一：1、客戶確認(rèn)所需采購產(chǎn)品型號

流程二：2、我方會根據(jù)詢價(jià)單型號查詢價(jià)格以及交貨期，擬一份詳細(xì)正規(guī)報(bào)價(jià)單

流程三：3，客戶收到報(bào)價(jià)單并確認(rèn)型號無誤后訂購產(chǎn)品

流程四：4、報(bào)價(jià)單負(fù)責(zé)人根據(jù)客戶提供型號以及數(shù)量擬份銷售合同

流程五：5、客戶收到合同查閱同意后蓋章回傳并按照合同銷售額匯款到公司開戶行

流程六：6、我公司財(cái)務(wù)查到款后，業(yè)務(wù)員安排發(fā)貨并通知客戶跟蹤運(yùn)單

藍(lán)伊電氣主要產(chǎn)品有：ABB、西門子、施耐德、瑞士佳樂 上海人民、TCL羅格朗，歐姆龍、奧托尼克斯、LS產(chǎn)電、常熟開關(guān)、富士機(jī)電等。堅(jiān)持“用戶至上， 優(yōu)質(zhì)服務(wù)”的宗旨，追求用戶滿意”的核心理念。

西門子馬達(dá)保護(hù)斷路器基本特點(diǎn)和使用范圍 如下； ) 技術(shù)先的全新特性、寬電壓線圈 

2)“開關(guān)”式、無抖顫吸合特性，使用壽命更長 

3) 抗電壓波動(dòng)及跌落能力強(qiáng)，吸持更可靠 

4) 交直流電源通用，設(shè)計(jì)使用更方便 

5) 吸合功率小，所需供電電源功率更小 

6) 保持功耗低，節(jié)能高達(dá)50％ 

7) 額定電流范圍寬(01-63A)，滿足各種客戶需要 

接觸器的觸頭接觸不牢靠的原因及處理方法 

3VU13,3VU16斷路器是額定電流大至30千瓦，63A的緊湊型斷路器。根據(jù)限流原理進(jìn)行工作?？捎糜陔姍C(jī)或其它負(fù)荷的起動(dòng)，

斷開及過載和短路保護(hù)；3VU13和3VU16還可用作電動(dòng)機(jī)斷相保護(hù)。

用于電機(jī)或設(shè)備保護(hù)時(shí)，上述斷路器都配備過電流瞬時(shí)脫扣器和反時(shí)限延時(shí)過載脫扣器。

由于起動(dòng)器組合裝置本身具有過載保護(hù)，因此用于起動(dòng)器組合的3VU16只安裝過電流瞬時(shí)脫扣器。

西門子交流接觸器
西門子系基本型號如下；

3TF30000XF0 

3TF30000XM0 

3TF30001XB4 

3TF30010XB0 

3TF30010XF0 

3TF30010XM0 

3TF30011XB4 

3TF30100XB0 

3TF30100XF0 

3TF30100XM0 

3TF30100XQ0 

3TF30101XB4 

3TF31000XM0 

3TF31001XB4 

西門子交流接觸器

雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入三價(jià)元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。

多數(shù)載流子：P型半導(dǎo)體中，空穴的濃度大于自由電子的濃度，稱為多數(shù)載流子，簡稱多子。

少數(shù)載流子：P型半導(dǎo)體中，自由電子為少數(shù)載流子，簡稱少子。

受主原子：雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，稱受主原子。

P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：它是靠空穴導(dǎo)電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)。

N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，形成N型半導(dǎo)體。

多子：N型半導(dǎo)體中，多子為自由電子。

少子：N型半導(dǎo)體中，少子為空穴。

施子原子：雜質(zhì)原子可以提供電子，稱施子原子。

N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強(qiáng)。

結(jié)論：

多子的濃度決定于雜質(zhì)濃度。

少子的濃度決定于溫度。

PN結(jié)的形成：將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，

在它們的交界面就形成PN結(jié)。

PN結(jié)的形成過程：如圖所示，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的多子數(shù)目等于參與漂移運(yùn)動(dòng)的少子數(shù)目，從而達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，形成PN結(jié)。