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大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀

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  • 型號(hào) HCPL100
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 武漢市
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更新時(shí)間:2022-03-10 15:19:58瀏覽次數(shù):421

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 電動(dòng)機(jī)功率 0.3kW
外形尺寸 19英寸1U機(jī)箱mm 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子
重量 6kg 單臺(tái)PW 高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián)
CW 高達(dá)3000V/100mA 最小分辨率 30uV/10pA
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場景。

詳細(xì)介紹

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場景。

 

 

IGBT簡介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。

 

IGBT測試難點(diǎn):

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測試。

 

 

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢?

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動(dòng)態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對(duì)于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測單元


HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測試。

背景圖.jpg

HCPL100型高電流脈沖電源


P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

脈沖源表背景1.jpg

P系列脈沖源表

 

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀簡介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測試;

  • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測試;

  • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測量;

  • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);

  • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測試功能;

  • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

  • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

  • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

  • 可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);

     

    技術(shù)指標(biāo)

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀應(yīng)用


     功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;


 

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