產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 電動機功率 | 0.3kW |
---|---|---|---|
外形尺寸 | 19英寸1U機箱mm | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子 |
重量 | 10kg | 最大輸出功率 | 300W,3000V/100mA(不同型號有差異); |
輸出電壓建立時間 | < 5ms; | 輸出接口 | KHV(三同軸),支持四線測量; |
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
防雷二極管耐壓測試源測單元訂貨信息
型號 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
測量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
最大功率 | 100W | 220W | 300W |
最小電壓量程 | 100V | 100V | 100V |
最大電壓量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
最小電流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
最大電流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
防雷二極管耐壓測試源測單元簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。
設(shè)備可應(yīng)用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測試、壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
技術(shù)指標
電壓性能參數(shù):
電壓 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
電流性能參數(shù):
電流 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
最大輸出功率:300W,3000V/100mA(不同型號有差異);
輸出電壓建立時間:< 5ms;
輸出接口:KHV(三同軸),支持四線測量;
掃描:支持線性、對數(shù)及用戶自定義掃描;
通信接口:RS232、以太網(wǎng);
保護:支持急停;
觸發(fā):支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸1U機箱;
武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國光谷",是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團隊和經(jīng)驗豐富的管理服務(wù)團隊。
普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測廠家提供相關(guān)測試儀表、測試平臺,以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對測試效率、測試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。
武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心,追求可持續(xù)發(fā)展為道路,精益求精,堅持不懈,努力將自身打造成B桿。