國(guó)產(chǎn)源表測(cè)三極管MOS管搭建方案：

①、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間，一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間，一臺(tái)加在漏極與源極之間；需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用，或使用插卡式直流源表；

②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V，基于最高性價(jià)比考慮，其中一臺(tái)使用S100即可，另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定；

國(guó)產(chǎn)S型數(shù)字源表特點(diǎn)：

高精度
精確輸出或測(cè)量低電壓電流信號(hào)
同步測(cè)量，減少測(cè)試時(shí)間

多量程
提供和測(cè)量多個(gè)量程的電流和電壓
電壓可達(dá)300uV-300V,電流達(dá)100pA-1A

易操作
采用觸控式圖形界面，用戶學(xué)習(xí)成本低，使用起來(lái)簡(jiǎn)單直觀；
觸屏操作

模塊化
支持運(yùn)行用戶腳本程序，無(wú)需電腦控制，提高生產(chǎn)測(cè)試速度
序列測(cè)試，簡(jiǎn)化操作，降低成本

對(duì)比傳統(tǒng)電源：

電源過(guò)零需要改變線連接方式
增加需反復(fù)開關(guān)機(jī)械開關(guān)，降低了設(shè)備可靠性

電壓電流限制精度有限
電壓1%，電流10mA,單量程誤差較大

對(duì)比電源與萬(wàn)用表組合

萬(wàn)用表電源組合需要編程實(shí)現(xiàn)設(shè)備
控制及同步
復(fù)雜連線、編程開發(fā)

電源限壓限流性能差
限壓限流精度低，瞬態(tài)特性也無(wú)法保證

普賽斯源表應(yīng)用領(lǐng)域：分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等；能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等；傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等；有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等；納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等；

普賽斯源表應(yīng)用方案：二極管IV測(cè)試、激光二極管LIV測(cè)試、三極管MOS管IV測(cè)試、APD管IV測(cè)試、太陽(yáng)能電池板特性參數(shù)測(cè)試、電池充放電特性參數(shù)測(cè)試、電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試；

國(guó)產(chǎn)源表測(cè)三極管MOS管搭建方案認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表