MDPpro晶圓/晶錠少子壽命檢測儀優(yōu)勢介紹：
● 靈敏度: 對外延層監(jiān)控和不可見缺陷檢測，具有可視化測試的
● 高分辨率
● 測試速度: 1s內完成對156mm的線掃描，與常規(guī)生產速度相匹配
● 壽命測試范圍: 20ns到幾十ms
● 測試能力: 從切割的晶圓到所有工藝中的樣品
● 可靠性: 靈活的OEM方案，具有更高的可靠性，使用時間> 99%

MDPpro晶圓/晶錠少子壽命檢測儀應用材料范圍：

● 硅|化合物半導體|氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦|外延層

無接觸且非破壞的少子壽命成像測試：(μPCD/MDP(QSS),光電導率，電阻率和p/n型檢測

● 符合半導體行業(yè)標準 SEMI PV9-1110

半導體質量的可視化是通過廣泛應用的先進微波技術實現(xiàn)的。關鍵的電子半導體參數(shù)的無接觸的快速圖形化檢測，像少數(shù)載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的測量，靈敏度和測量速度的圖形化方式來展現(xiàn)。這種方法為半導體生產和研究提供了一個廣泛的已有和新的應用領域。

MDP系列產品涵蓋了廣泛的應用范圍，從高產量、自動化生產的易集成OEM模塊到研究和高靈活性的故障排除工具，MDP始終專注于各種解決方案。可靠和耐用的設計，再加上新電子可能性的集成，使MDP系列產品成為未來高速非接觸式電子半導體特性檢測的選擇。

MDPpro晶圓/晶錠少子壽命檢測儀優(yōu)勢性能介紹：

● 上限通量: >240 bricks/day或>720 wafers/day

● 測試速度:<4 minutes，156×156×400 mm 標準晶錠

● 壽命測試范圍: 20 ns到幾十ms

● 產量提升: 1mm的切割標準156×156×400mm標準晶錠

● 質量控制: 專為單晶或多晶硅等工藝和材料的質量監(jiān)控而設計

● 污染判斷: 產生于坩堝和生產設備中的金屬污染 (Fe)

● 可靠性: 模塊化，堅固耐用的工業(yè)儀器，具有更高的可靠性和正常運行時間 > 99%

● 重復性: > 99.5%

● 電阻率：電阻率面掃功能，無需頻繁校準

應用方向：

● 半導體材料少子壽命

● 鐵濃度測定

● 缺陷濃度測試

● 硼氧濃度測試

● 受注入濃影響的測試

● 晶圓切割，熔爐監(jiān)控，材料優(yōu)化