抗干擾（智能）介質(zhì)損耗測(cè)試儀中心頭（紅色，有ＣＸ標(biāo)記）應(yīng)與被 試品一端相接，屏蔽頭（黑色，有Ｅ標(biāo)記）是儀器內(nèi)部高壓輸出 一個(gè)參考端，在 正接法測(cè)量時(shí)應(yīng)接地；在反接法測(cè)量時(shí)應(yīng)浮空；

SHJS-20B抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀淘汰了ＱＳＩ高壓電橋，具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印，使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓，抗干擾能力強(qiáng) 等優(yōu)點(diǎn)。體積小、重量輕，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。 
二、技術(shù)指標(biāo)
１．環(huán)境溫度：０～４0℃（液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照）
２．相對(duì)濕度：３0％～７0％
３．供電電源：電壓：２２０Ｖ±１0％，頻率：５0±１Ｈz
４．外形尺寸：長(zhǎng)×寬×高＝490mm×300mm×390mm
５．重量：約18Ｋg
６．輸出功率：1ＫVA
７．顯示分辨率：４位
８．抗干擾（智能）介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)量范圍：
介質(zhì)損耗（tgδ）：０-50％ 
電容容量（Cx）和加載電壓：
２.5ＫＶ檔：≤ ３00nＦ（ ３00000ｐＦ）
３ＫＶ檔：≤２00nＦ（ ２00000ｐＦ）
５ＫＶ檔：≤ ７6nＦ（ ７6000ｐＦ）
７.５ＫＶ檔：≤ ３4nＦ（ ３4000ｐＦ）
１０ＫＶ檔：≤ ２0nＦ（ ２0000ｐＦ）
９．基本測(cè)量誤差：
介質(zhì)損耗（tgδ）： １％±０.０7％（加載電流２０μＡ～５00ｍＡ）正接
介質(zhì)損耗（tgδ）： ２％±０.０9％（加載電流　５μＡ～２0μＡ）反接
電容容量 （ Cx）：１.５％±１.５pＦ
三、結(jié)構(gòu)
儀器抗干擾（智能）介質(zhì)損耗測(cè)試儀為升壓與測(cè)量一體化結(jié)構(gòu)，輸出電壓２.5KＶ～１０ＫＶ五檔可調(diào)，以適應(yīng)各種需要，在測(cè)量時(shí)無(wú)需任何外部設(shè)備。接線(xiàn)與ＱＳＩ電橋相似，但比其方便。
圖一為儀器操作面板圖，圖二為儀器接線(xiàn)端面圖。
⑴ 顯示窗————————液晶顯示屏。
⑵ 試驗(yàn)電壓選擇開(kāi)關(guān)———當(dāng)開(kāi)關(guān)置于“關(guān)”時(shí)，儀器無(wú)高壓輸出。
⑶ 操作鍵盤(pán)———————選擇測(cè)量方式、起動(dòng)、停止、打印等操作。
⑷ 電源插座——————— 保險(xiǎn)絲用５Ａ。
⑸ 電源開(kāi)關(guān)———————電源通斷。
⑹ 起動(dòng)燈————————指示高壓輸出。
⑺ 打印機(jī)————————打印測(cè)試結(jié)果。
★★★★⑻ 接地端子——————使用前，必須將該端子可靠接地?。?！
★⑼ 測(cè)量電流輸入端ＩＸ———有兩個(gè)出線(xiàn)頭，中心頭（紅色，有ＣＸ標(biāo)記）應(yīng)與被 試品一端相接，屏蔽頭（黑色，有Ｅ標(biāo)記）是儀器內(nèi)部高壓輸出 一個(gè)參考端，在 正接法測(cè)量時(shí)應(yīng)接地；在反接法測(cè)量時(shí)應(yīng)浮空；外接法參見(jiàn)“外接高壓法”。

抗干擾智能介質(zhì)損耗測(cè)試儀本著用戶(hù)*的宗旨，上海蘇霍電氣公司積極做好售前、售中、售后服務(wù)，我們鄭重承諾：用心做產(chǎn)品、滿(mǎn)意在服務(wù)。
★⑽ 標(biāo)準(zhǔn)電流輸入端ＩＮ———僅當(dāng)外接標(biāo)準(zhǔn)電容器進(jìn)行測(cè)量時(shí)才用，該端應(yīng)與外接 標(biāo)準(zhǔn)電容器 一端相連。ＩＮ必須小于１00ｍＡ！??！
⑾ 測(cè)量高壓輸出端ＵＨ——只有一個(gè)大鐵夾出線(xiàn)頭（有ＵＨ標(biāo)記），與被試品一端 相接。